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LTL1CHJRDNN 发布时间 时间:2025/9/5 20:24:30 查看 阅读:4

LTL1CHJRDNN 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率功率转换和开关应用设计,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和高电流承载能力。LTL1CHJRDNN 采用先进的沟槽技术,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,适合用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、负载开关、马达驱动以及电池供电设备等应用。该器件通常采用 8 引脚 DFN 封装,具备良好的热性能和空间利用率,适合高密度 PCB 设计。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流(Id):1.5 A
  最大漏源电压(Vds):100 V
  最大栅源电压(Vgs):±20 V
  导通电阻(Rds(on)):最大 1.2 Ω(在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷(Qg):1.8 nC
  输入电容(Ciss):300 pF
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:8 引脚 DFN

特性

LTL1CHJRDNN 具备多项优异特性,使其在功率电子应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在导通状态下功耗最小化,提高了系统效率。在 Vgs=10V 时,Rds(on) 最大为 1.2Ω,这一参数对于要求高效率的电源转换器尤为重要。
  其次,该器件具有较高的漏源击穿电压(100V),可承受较高的电压应力,适用于多种中压功率转换应用。同时,其最大栅源电压为 ±20V,具备良好的栅极保护能力,防止因过高的栅极电压导致器件损坏。
  此外,LTL1CHJRDNN 的栅极电荷(Qg)仅为 1.8nC,这有助于减少开关损耗,提高开关速度,从而提升整体能效。输入电容(Ciss)为 300pF,进一步支持快速开关操作,适合用于高频开关电路。
  该器件的封装为 8 引脚 DFN,具备良好的散热性能和空间利用率,特别适合对 PCB 空间有严格要求的设计。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,确保在各种环境条件下稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。
  总体而言,LTL1CHJRDNN 凭借其低导通电阻、高频响应、高耐压能力和紧凑的封装设计,在功率管理、DC-DC 转换器、电池管理系统和负载开关等应用中具有广泛的应用前景。

应用

LTL1CHJRDNN 主要应用于需要高效功率控制和低功耗设计的电子系统。其典型应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机驱动电路、电池供电设备中的功率管理模块,以及工业自动化和汽车电子中的开关控制电路。该器件的高频响应特性也使其适用于 LED 照明驱动器、智能电表和便携式电子产品中的电源管理系统。

替代型号

Si2301DS, FDN304P, 2N7002, BSS138

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