时间：2025/9/5 20:24:30
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LTL1CHJRDNN 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率功率转换和开关应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力。LTL1CHJRDNN 采用先进的沟槽技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，适合用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、负载开关、马达驱动以及电池供电设备等应用。该器件通常采用 8 引脚 DFN 封装，具备良好的热性能和空间利用率，适合高密度 PCB 设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（Id）：1.5 A
最大漏源电压（Vds）：100 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：最大 1.2 Ω（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷（Qg）：1.8 nC
输入电容（Ciss）：300 pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：8 引脚 DFN
LTL1CHJRDNN 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下功耗最小化，提高了系统效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 最大为 1.2Ω，这一参数对于要求高效率的电源转换器尤为重要。
其次，该器件具有较高的漏源击穿电压（100V），可承受较高的电压应力，适用于多种中压功率转换应用。同时，其最大栅源电压为 ±20V，具备良好的栅极保护能力，防止因过高的栅极电压导致器件损坏。
此外，LTL1CHJRDNN 的栅极电荷（Qg）仅为 1.8nC，这有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而提升整体能效。输入电容（Ciss）为 300pF，进一步支持快速开关操作，适合用于高频开关电路。
该器件的封装为 8 引脚 DFN，具备良好的散热性能和空间利用率，特别适合对 PCB 空间有严格要求的设计。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保在各种环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
总体而言，LTL1CHJRDNN 凭借其低导通电阻、高频响应、高耐压能力和紧凑的封装设计，在功率管理、DC-DC 转换器、电池管理系统和负载开关等应用中具有广泛的应用前景。
LTL1CHJRDNN 主要应用于需要高效功率控制和低功耗设计的电子系统。其典型应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机驱动电路、电池供电设备中的功率管理模块，以及工业自动化和汽车电子中的开关控制电路。该器件的高频响应特性也使其适用于 LED 照明驱动器、智能电表和便携式电子产品中的电源管理系统。
Si2301DS, FDN304P, 2N7002, BSS138
