类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：200mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 3.5Ω @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

LTL1BETBYJR5 具备多项适用于便携式电子设备和低压电源管理应用的特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在 4.5V 栅极驱动电压下可低至 3.5Ω，有助于降低导通损耗并提高系统效率。这在低电压、高效率要求的电源设计中尤为重要。
　　其次，该 MOSFET 的最大漏源电压为 20V，支持在多种低压应用中使用，如 5V 和 12V 系统中的开关控制。栅源电压容限为 ±12V，提供了良好的栅极保护，防止因电压波动导致的损坏。
　　此外，LTL1BETBYJR5 采用 SOT-23 小型封装，便于在空间有限的 PCB 设计中布局。其表面贴装特性也简化了自动化装配流程，降低了生产成本。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，展现出良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级环境条件。同时，其 200mW 的功耗设计使其在轻载条件下也能保持较低的温升。

LTL1BETBYJR5 广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其是在需要高效功率开关和低功耗设计的场合。常见应用包括便携式消费电子产品中的电源管理模块、电池供电设备的负载开关、DC-DC 转换器中的同步整流器、以及各类低电压逻辑电路的接口控制。
　　此外，该 MOSFET 也可用于传感器电路中的信号切换、LED 驱动控制、以及低功耗微控制器系统中的外设开关管理。由于其小型封装和高可靠性，LTL1BETBYJR5 在汽车电子、工业控制和通信设备中也有一定的应用空间。

Si2302DS, 2N7002, FDV301N