时间：2025/9/6 11:40:14
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LTL1BEKVJNN 是 Rohm（罗姆）公司生产的一款 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用紧凑型表面贴装封装，适合在空间受限的电路设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：500mA
功率耗散（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-523
LTL1BEKVJNN MOSFET 具备低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。它的工作电压范围宽广，支持高达 100V 的漏源电压，适用于多种电源管理和信号开关应用。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在严苛的环境条件下稳定运行。其 SOT-523 封装形式不仅体积小巧，还具备良好的热传导性能，方便在高密度 PCB 设计中布局。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V，使其能够与多种控制电路兼容。其低功耗特性也使得在高频开关应用中表现优异，降低了整体系统的能耗。LTL1BEKVJNN 还具备良好的抗静电性能，增强了器件在实际应用中的可靠性。
LTL1BEKVJNN 适用于多种电子设备中的功率管理电路，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、便携式设备电源控制以及各类低功耗开关电路。此外，它还可用于工业自动化设备、汽车电子系统以及消费类电子产品中的高效能电源管理模块。
2N7002, BSS138, FDV301N
