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LTL1BEKVJ 发布时间 时间:2025/9/6 0:04:24 查看 阅读:5

LTL1BEKVJ 是一款由 ROHM(罗姆)半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小型表面贴装封装(SOT-523),适用于高密度电路设计。该器件具有低导通电阻和高速开关性能,广泛应用于便携式电子设备、逻辑电路驱动器和小型电源系统中。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(VDS):100 V
  栅源电压(VGS):±20 V
  连续漏极电流(ID):100 mA
  脉冲漏极电流(IDM):500 mA
  功耗(PD):200 mW
  导通电阻(RDS(on)):最大 6.5 Ω @ VGS = 10 V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-523

特性

LTL1BEKVJ MOSFET 采用先进的沟槽式 MOS 工艺,具有较低的导通电阻(RDS(on)),可有效降低导通状态下的功率损耗,从而提高系统效率。该器件的栅极氧化层设计可承受高达 ±20 V 的电压,提高了器件在高频开关应用中的稳定性。
  其 SOT-523 小型封装不仅节省空间,而且便于在高密度 PCB 布局中使用,适合便携式设备和小型化电子产品。此外,LTL1BEKVJ 具有良好的热稳定性和高可靠性,可在恶劣环境下稳定运行。
  由于其高速开关特性,该器件适用于数字开关电路、低功率 DC-DC 转换器、负载开关和小型电机控制等应用。其低输入电容(Ciss)和低栅极电荷(Qg)有助于减少开关损耗,提高整体系统性能。

应用

LTL1BEKVJ 主要用于以下领域:便携式电子设备中的负载开关和逻辑电路控制;小型电源系统如 DC-DC 转换器和 LED 驱动器;电机控制电路;电池管理系统;以及各类低功耗开关电路。由于其小型封装和高性能特性,也适用于需要高集成度的工业和消费类电子产品。

替代型号

2N7002K, PMV48XP, BSS138

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