时间：2025/9/6 0:04:24
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LTL1BEKVJ 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型表面贴装封装（SOT-523），适用于高密度电路设计。该器件具有低导通电阻和高速开关性能，广泛应用于便携式电子设备、逻辑电路驱动器和小型电源系统中。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：100 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：100 mA
脉冲漏极电流（IDM）：500 mA
功耗（PD）：200 mW
导通电阻（RDS(on)）：最大 6.5 Ω @ VGS = 10 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-523
LTL1BEKVJ MOSFET 采用先进的沟槽式 MOS 工艺，具有较低的导通电阻（RDS(on)），可有效降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率。该器件的栅极氧化层设计可承受高达 ±20 V 的电压，提高了器件在高频开关应用中的稳定性。
其 SOT-523 小型封装不仅节省空间，而且便于在高密度 PCB 布局中使用，适合便携式设备和小型化电子产品。此外，LTL1BEKVJ 具有良好的热稳定性和高可靠性，可在恶劣环境下稳定运行。
由于其高速开关特性，该器件适用于数字开关电路、低功率 DC-DC 转换器、负载开关和小型电机控制等应用。其低输入电容（Ciss）和低栅极电荷（Qg）有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
LTL1BEKVJ 主要用于以下领域：便携式电子设备中的负载开关和逻辑电路控制；小型电源系统如 DC-DC 转换器和 LED 驱动器；电机控制电路；电池管理系统；以及各类低功耗开关电路。由于其小型封装和高性能特性，也适用于需要高集成度的工业和消费类电子产品。
2N7002K, PMV48XP, BSS138
