类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（Id）：100 mA（最大值）
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2 Ω @ Vgs = 10 V
　　功率耗散（Pd）：200 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-523

LTL1BEKGFJ 是一款专为高频和低功耗应用设计的 N 沟道 MOSFET。其主要特性之一是具有较低的导通电阻（Rds(on)），在栅极电压为 10 V 时，Rds(on) 仅为 1.2 Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件的漏源电压（Vds）为 100 V，使其适用于中高压电源转换应用。同时，LTL1BEKGFJ 的栅源电压范围为 ±20 V，具备良好的栅极保护能力，防止因过电压而损坏器件。
　　另一个显著优势是其小封装设计，采用 SOT-523 封装，尺寸紧凑，适合高密度 PCB 布局，尤其适用于便携式设备和空间受限的应用场景。此外，该 MOSFET 的最大漏极电流为 100 mA，适用于低至中等功率的开关控制。其功率耗散能力为 200 mW，在轻负载条件下表现出良好的热稳定性。
　　LTL1BEKGFJ 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保在各种环境条件下稳定运行。这种宽温度范围使其适用于工业级和汽车电子应用。由于其优异的开关特性和低功耗设计，该 MOSFET 在 DC-DC 转换器、LED 驱动电路、负载开关以及电池管理系统中表现突出。此外，该器件具有良好的抗静电能力（ESD）和较高的可靠性，能够承受一定的瞬态电压冲击，从而提高整体系统的耐用性和稳定性。

LTL1BEKGFJ 主要应用于需要高效能、小型化设计的电子系统中。例如，在便携式电子产品中，该 MOSFET 可用于电池供电系统的负载开关，实现对不同功能模块的精确电源管理，从而延长电池寿命。在 DC-DC 转换器中，LTL1BEKGFJ 的低导通电阻和快速开关特性可显著提高转换效率，减少发热损耗，适用于低功耗升压或降压电路。
　　该器件也广泛用于 LED 照明驱动电路中，作为 PWM 控制开关使用，以调节亮度并实现节能。此外，LTL1BEKGFJ 还可用于传感器模块、无线通信设备、智能穿戴设备等空间受限的应用场景。在工业控制和汽车电子系统中，该 MOSFET 可用于电机驱动、继电器控制及电源切换等场合，提供稳定可靠的开关性能。
　　由于其优异的温度稳定性和抗静电能力，LTL1BEKGFJ 也适用于恶劣环境下的工业设备和车载系统。例如，在车载充电器、车载信息娱乐系统（IVI）和车载摄像头模块中，该 MOSFET 可以作为电源开关或信号切换元件，确保设备在高温或振动环境下仍能正常运行。

2N7002, BSS138, 2N3904