LTL17KTGX3KS是一款由ONSEMI(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管设计用于高频放大和开关应用,具备优异的电流增益和低噪声特性。由于其紧凑的封装和可靠的性能,LTL17KTGX3KS广泛应用于通信设备、音频放大器、射频(RF)电路以及消费类电子产品中。该器件采用SOT-523封装,适合表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和节省电路板空间。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):50 V
最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
最大功耗(Ptot):150 mW
电流增益(hFE):在Ic=2 mA时,hFE=110-800(具体数值取决于等级)
截止频率(fT):100 MHz
噪声系数(NF):5 dB(典型值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT-523
LTL17KTGX3KS具有多项优异的电气和物理特性,适用于多种高频和低噪声应用。其高截止频率(fT)达到100 MHz,使其适用于射频和中频放大器设计。此外,该晶体管具有较低的噪声系数,典型值为5 dB,非常适合用于前置放大器、音频放大器和其他对噪声敏感的电路。该器件的hFE(电流增益)范围较宽,从110到800,具体取决于器件的等级,为设计人员提供了灵活性。LTL17KTGX3KS的最大集电极电流为100 mA,集电极-发射极和集电极-基极的耐压均为50 V,使其在中等功率开关应用中表现良好。该晶体管的功耗为150 mW,适合低功耗设计。采用SOT-523封装,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,并支持表面贴装技术,提高生产效率。该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C,确保其在极端环境下的稳定性和可靠性。总的来说,LTL17KTGX3KS是一款多功能、高性能的晶体管,适用于广泛的应用场景。
此外,LTL17KTGX3KS的封装设计具有良好的热性能,能够在较高的工作温度下保持稳定。其引脚排列合理,便于焊接和PCB布局,同时具备良好的电气隔离性能。由于其高频特性,该晶体管可以用于调频(FM)接收器、射频放大器、振荡器以及混频器等射频电路。在消费类电子产品中,它常用于音频前置放大、低噪声信号放大和开关控制电路。其低噪声特性使其在需要高信号完整性的系统中表现出色,如无线通信模块、传感器接口和数据采集系统。此外,LTL17KTGX3KS的可靠性和稳定性使其成为工业控制、汽车电子和便携式设备中的理想选择。
LTL17KTGX3KS适用于多种电子电路设计,尤其在需要低噪声、高增益和高频响应的场合。其主要应用包括射频(RF)放大器、音频前置放大器、中频放大器、振荡器、混频器和开关电路。在通信系统中,该晶体管可用于无线接收器和发射器中的信号放大与处理。在音频设备中,它可以用于前置放大电路以提高信号质量。此外,LTL17KTGX3KS也广泛应用于消费类电子产品,如电视、音响系统、便携式音频设备和传感器接口电路。在工业控制和自动化系统中,它可用于信号处理、传感器信号放大和逻辑开关控制。由于其高频特性和小尺寸封装,该晶体管也适用于无线通信模块、物联网(IoT)设备和嵌入式系统中的射频前端设计。
2N3904, BC847, PN2222A