类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-1.7A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω @ Vgs = -4.5V；0.31Ω @ Vgs = -2.5V
　　功率耗散（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-223

LTL121QGJ 以其高性能和小尺寸封装在众多便携式电子设备中得到广泛应用。其 P 沟道结构使其在高边开关应用中具有优势，例如电源切换和负载控制。该器件的低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率。此外，LTL121QGJ 的栅极驱动电压范围较宽（最高可达 ±12V），使其能够与多种控制电路兼容，包括 3.3V 和 5V 的逻辑电平。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了系统的可靠性。SOT-223 封装不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。
　　在动态性能方面，LTL121QGJ 的开关速度快，能够有效减少开关损耗，并适用于高频应用。其低栅极电荷（Qg）特性使得驱动电路的功耗更低，进一步提升了整体效率。这些特性使 LTL121QGJ 成为电池供电设备、移动设备和电源管理系统中的理想选择。

LTL121QGJ 主要用于各种低电压功率管理应用中，例如笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他便携式电子设备中的电源开关控制。它也适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池充电和保护电路等应用。此外，在工业控制系统中，该器件可被用于电机驱动、继电器替代以及低功耗传感器模块的电源管理。由于其高可靠性和小型化设计，LTL121QGJ 在对空间和能效要求较高的嵌入式系统中也得到了广泛应用。

Si2301DS, FDN306P, IRML2502, NTR1P02X