类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：最大 56mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散(Pd)：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSMT6

LTL121JGKNN 的核心特性之一是其低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体效率。该器件的 Rds(on) 在 Vgs = 4.5V 时最大为 56mΩ，确保了在低电压驱动条件下也能实现良好的性能。此外，该 MOSFET 具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达 4A，适用于中等功率的开关应用。
　　LTL121JGKNN 采用小型 TSMT6 封装，适合高密度 PCB 设计，尤其适用于空间受限的便携式设备和电源模块。其栅极驱动电压范围宽广，支持 1.8V 至 4.5V 的逻辑电平驱动，兼容多种控制器和微处理器输出。
　　该器件具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定运行，适用于各种 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及马达驱动电路。此外，其 ±12V 的栅源电压耐受能力增强了抗电压尖峰的能力，提高了系统可靠性。

LTL121JGKNN 广泛应用于多种电子设备中，尤其是在需要高效、低功耗开关的场合。典型应用包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电源管理系统、电池供电设备（如笔记本电脑、平板电脑、智能手机）以及电机驱动电路。由于其低导通电阻和小型封装，它特别适合用于高效率、高密度的电源设计。
　　在电池管理系统中，LTL121JGKNN 可用于控制电池充放电路径，防止过流和短路，提高系统安全性。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于同步整流或主开关元件，提高转换效率并减少发热。此外，它也适用于 LED 驱动电路、电源管理 IC（PMIC）外围电路以及各类便携式消费电子产品。

Si2302DS、DMN6024SFDI、FDMS8878、FDMC8878、RSD221K