时间：2025/7/11 15:17:06
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LTESD3V3LZB-LC 是一款由 ON Semiconductor 提供的瞬态电压抑制器（TVS），主要用于保护电子设备免受静电放电（ESD）、感应雷击和其他瞬态电压浪涌的损害。该器件采用 SOD-323 封装，具有低电容特性，适合用于高速数据线路和高频应用环境。
此 TVS 器件具有快速响应时间、低漏电流以及高能量吸收能力等特性，确保了其在各种恶劣工作条件下的可靠性。它符合 AEC-Q101 标准，因此也适用于汽车级应用。
额定电压：3.3V
峰值脉冲功率：400W
最大反向工作电压：3.8V
击穿电压：4.3V
最大箝位电压：6.8V
结电容：0.5pF
响应时间：1ps
漏电流：1uA
封装类型：SOD-323
1. 高速瞬态电压抑制性能，能够有效保护敏感电子元件。
2. 极低的结电容（仅为 0.5pF），使其非常适合用于高速数据线路上，如 USB、HDMI 和其他高频信号路径。
3. 超快的响应时间（1ps），能够在瞬态事件发生时迅速启动保护功能。
4. 符合 AEC-Q101 标准，保证了其在汽车领域中的可靠性和耐用性。
5. 低泄漏电流设计有助于减少对系统性能的影响，同时提高能效。
6. 具有出色的 ESD 抗扰度，可承受 ±30kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电（依据 IEC 61000-4-2 标准）。
1. 汽车信息娱乐系统中的高速数据接口保护。
2. 工业自动化设备中的通信端口防护。
3. 移动设备及消费类电子产品中 USB、HDMI 等接口的 ESD 保护。
4. 无线通信模块（如蓝牙、Wi-Fi）的数据线保护。
5. 各种需要低电容和高性能 TVS 保护的场合。
PESD3V3YS
