型号：LTE6SG
　　封装类型：SOP-4
　　通道数：1通道
　　输入正向电流（IF）：50mA
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出集电极-发射极耐压（VCEO）：70V
　　输出发射极-集电极耐压（VECO）：7V
　　隔离电压（Viso）：5000VRMS
　　工作温度范围：-55℃ ~ +110℃
　　存储温度范围：-65℃ ~ +125℃
　　最大功耗（PD）：150mW
　　上升时间（tPLH）：4μs
　　下降时间（tPHL）：3μs
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600% @ IF = 5mA, VCE = 5V

LTE6SG具备优异的电气隔离性能，其内部结构由一个砷化镓红外发光二极管与一个硅基光敏探测器构成，后者集成了高增益放大器和施密特触发整形电路，确保输出信号具有清晰的高低电平切换，避免因输入信号抖动或噪声引起的误触发。这种设计使得器件在低输入电流条件下仍能实现可靠的状态转换，尤其适合连接微控制器、DSP或FPGA等数字逻辑系统。
　　该光耦支持较宽的工作温度范围，从-55℃到+110℃，能够在高温工业环境或低温户外设备中稳定运行。其最小隔离电压达到5000VRMS，符合UL、CSA、IEC/EN/DIN EN 60747-5-2等多项国际安全标准，适用于需要高绝缘等级的应用场景，如开关电源反馈回路、逆变器驱动隔离、PLC输入模块等。
　　器件的电流传输比（CTR）典型值高达50%至600%，表明其光电转换效率较高，在较低的驱动电流下即可实现有效的输出驱动，有助于降低系统功耗并延长LED寿命。同时，其开关时间（上升/下降）控制在4μs以内，属于中高速光耦范畴，足以满足大多数数字信号隔离需求。
　　LTE6SG采用无铅且符合RoHS指令的环保材料制造，支持回流焊工艺，并具有良好的抗湿度性能和机械强度。其SOP-4封装尺寸紧凑，节省PCB空间，适合高密度布局设计。整体而言，该器件在可靠性、兼容性与性价比方面表现均衡，是现代电子系统中实现安全隔离的理想选择之一。

LTE6SG常用于各类需要电气隔离的电子系统中，典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的反馈控制回路，用于将次级侧的电压或电流信号隔离后传送到初级侧PWM控制器，以实现闭环稳压。此外，在工业自动化领域，该器件广泛应用于可编程逻辑控制器（PLC）的数字输入模块，用于隔离现场传感器信号与内部逻辑电路，防止外部高压或电磁干扰影响控制系统稳定性。
　　在电机驱动和逆变器系统中，LTE6SG可用于隔离控制信号与功率桥臂驱动电路，保障主控单元免受功率侧电压尖峰的影响。它也常见于通信接口隔离，例如RS-232、RS-485总线系统中，用于切断地线环路，提高通信可靠性。
　　其他应用还包括医疗电子设备中的信号隔离、电池管理系统（BMS）中的状态监测信号传输、智能电表的数据采集隔离，以及各类嵌入式控制系统中的I/O隔离。得益于其高隔离电压和良好的温度适应性，该器件还可用于太阳能逆变器、电动汽车充电模块等新能源相关产品中，为复杂电磁环境下的信号传输提供安全保障。