时间:2025/9/5 23:05:46
阅读:56
LTE-R38386-RE3-H 是一款由 Littelfuse 公司生产的表面贴装(SMD)型低电容双向瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌电压以及其他瞬态电压的损害。该器件具有极低的结电容,适用于高速数据线路和通信设备中的过电压保护。
类型:双向TVS二极管
最大反向工作电压(VRWM):3.8V
击穿电压(VBR):4.2V(最小值)至5.0V(最大值)
钳位电压(VC):10.0V(最大值,在IPP=2.6A时)
峰值脉冲电流(IPP):2.6A(8/20μs波形)
功率耗散(PP):300W(8/20μs波形)
电容(CT):0.4pF(典型值,在0V时)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-882(SMD)
安装类型:表面贴装
LTE-R38386-RE3-H 采用先进的硅雪崩二极管技术制造,具备极低的结电容,使其适用于高速数据线路保护。该器件能够在极短时间内响应瞬态电压事件,并将电压钳制在安全范围内,从而保护下游电路不受损坏。此外,其双向导通特性使其适用于正负极性均可能受到瞬态干扰的应用场景。该器件的SOD-882封装结构紧凑,适用于空间受限的便携式电子设备。其高可靠性设计确保在恶劣环境条件下仍能稳定工作,并满足IEC 61000-4-2等国际标准对ESD保护的要求。
LTE-R38386-RE3-H 常用于需要高速信号线路保护的电子设备中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、USB接口、HDMI接口、以太网接口、DSL调制解调器、无线基站模块、消费类电子产品和工业控制系统等。在这些应用中,它能够有效防止静电放电、雷击感应、开关瞬变等引起的电压浪涌,保障设备的稳定运行和延长使用寿命。
PESD3V3S1BA-0402-HF, ESD5Z3.3V-U