型号：LTE-4216-I
　　制造商：Lattice Semiconductor
　　系列：MachXO3
　　逻辑单元数（LEs）：640
　　用户I/O数量：31
　　嵌入式块RAM（EBR）：128 kbits
　　非易失性存储器（Flash）：1.2 Mbits
　　最大系统频率：300 MHz
　　电源电压：1.2V 内核，1.5V/1.8V/2.5V/3.3V I/O
　　封装类型：TFTQFP
　　工作温度：-40°C 至 +85°C

LTE-4216-I 具有多种先进特性，适用于复杂系统设计。
　　首先，该器件采用基于Flash的非易失性技术，使其在上电后无需外部配置芯片即可直接运行，降低了系统复杂性和成本。
　　其次，该FPGA支持多种I/O标准，包括LVCMOS、LVTTL、LVDS、HSTL、SSTL等，提供了极大的灵活性，适用于各种接口桥接和协议转换应用。
　　此外，LTE-4216-I 集成了丰富的嵌入式块RAM（EBR）资源，可用于实现FIFO、缓存、数据缓冲等功能，提高了系统性能和集成度。
　　该器件还支持用户安全加密功能，包括Flash加密和读保护，确保设计代码的安全性。
　　功耗方面，LTE-4216-I 采用动态功耗管理技术，能够在不同工作模式下智能调节功耗，适用于对功耗敏感的便携式设备和电池供电系统。
　　最后，该器件支持多种封装形式，适合空间受限的应用，同时具备工业级工作温度范围，确保在各种恶劣环境下稳定运行。

LTE-4216-I 主要应用于需要高集成度、低功耗和灵活接口管理的嵌入式系统。
　　例如，在通信设备中，它可以用于实现协议转换、接口桥接和信号路由功能。
　　在工业控制系统中，该器件可作为主控制器或辅助控制器，实现I/O扩展、状态监控和实时控制功能。
　　在消费电子产品中，LTE-4216-I 可用于实现多功能逻辑控制、传感器接口管理以及低功耗待机模式控制。
　　此外，在汽车电子系统中，它可用于实现CAN、LIN等通信接口的桥接和扩展，提升系统的灵活性和可靠性。
　　对于需要高安全性设计的应用，如智能卡、支付终端等，该器件提供的Flash加密和读保护功能能够有效防止设计代码被非法复制或篡改。

LFE3-17EA-6QE256I, M2S010-1FCG484C