LTE-4208-SD是一款高性能、低功耗的射频前端模块(RF FEM),专为满足LTE和5G Sub-6GHz网络需求而设计。该芯片集成了功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、开关以及滤波器等功能组件,可有效提升无线通信设备的传输距离和信号质量。
其紧凑的设计和高集成度使得它特别适合应用于智能手机、物联网设备、路由器以及其他需要高效射频性能的小型化产品中。
工作频率范围:698MHz~960MHz, 1710MHz~2170MHz
输出功率:29dBm(典型值)
效率:大于40%(在29dBm输出时)
线性度:ACLR优于-50dBc
增益:18dB(典型值)
电源电压:3.4V~4.2V
封装形式:QFN 4x4mm
工作温度范围:-40℃~+85℃
该芯片采用了先进的CMOS工艺制造,具备出色的能效表现和稳定性。
1. 高输出功率与高效率的结合使其能够在不增加功耗的情况下提供更强的信号覆盖能力。
2. 内置的匹配网络简化了外部电路设计,降低了整体BOM成本并减少了PCB面积占用。
3. 支持多频段操作,灵活性强,适用于不同区域的频谱规划。
4. 提供了全面的保护机制,例如过温保护和反向功率检测,从而增强了系统的可靠性。
5. 兼容主流基带处理器接口,便于快速开发和部署。
LTE-4208-SD广泛用于各种现代无线通信场景,包括但不限于:
1. 智能手机和平板电脑中的蜂窝模块。
2. 物联网终端设备,如智能仪表、可穿戴设备和资产追踪器。
3. 家庭及企业级路由器和CPE(客户前提设备)。
4. 工业自动化与远程监控解决方案。
5. 移动热点和其他便携式连网装置。
LTE-4208-HD, RFM-3210-SD, LTM-5608-Pro