类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：35A
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤4.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）或TO-220
　　功率耗散（Pd）：100W（TO-220）

LTD35N06 的核心优势在于其低导通电阻，这可以显著降低在高电流应用中的功率损耗，提高系统效率。其高耐压特性（60V）使其适用于多种中低压功率转换场合。该MOSFET具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行，并且具备较强的瞬时过载能力，适合用于需要频繁开关的高负载场景。
　　此外，LTD35N06 采用了先进的封装技术，增强了散热能力，提高了器件的可靠性和寿命。它的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平（通常可由5V或10V驱动），使得其能够方便地与微控制器、驱动IC或其他数字控制电路配合使用。
　　由于其卓越的性能和广泛的应用适应性，LTD35N06 成为了许多工业和消费类电子设备中的关键元件。

LTD35N06 被广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于：
　　- 开关电源（SMPS）
　　- DC-DC降压/升压转换器
　　- 电池管理系统（BMS）
　　- 电动工具和电动车控制器
　　- 电机驱动电路
　　- 高功率LED驱动器
　　- 工业自动化设备
　　- 逆变器与UPS系统
　　由于其高电流能力和低导通电阻，它在需要高效能和高可靠性的应用中特别受欢迎。

IRF35N06D, STP35NF06L, FDP35N06, IPP35N06S4-03, NTD35N06LT4G