类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：100V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id（@25℃）：30A
　　最大脉冲漏极电流 Idm：120A
　　导通电阻 Rds(on)（@Vgs=10V）：≤3.5mΩ
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-263 / DPAK（具体封装型号由后缀决定）

LTCP3N10 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备高耐压能力，Vds 可达 100V，适合中高压功率转换应用。
　　其采用沟槽式结构设计，优化了电场分布，提高了器件的稳定性和可靠性。LTCP3N10 还具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作，适应工业级和汽车电子的严苛要求。
　　栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 驱动，兼容多种常见的驱动电路设计。同时，该器件具有较强的抗雪崩能力，增强了在高能脉冲条件下的耐用性。
　　此外，LTCP3N10 的封装形式多样，如 TO-220、TO-263 和 DPAK，适应不同的 PCB 布局和散热需求，便于设计工程师根据应用场景灵活选用。

LTCP3N10 主要应用于各类电源转换系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、逆变器以及工业自动化控制系统等。
　　在电动车、储能系统、光伏逆变器等新能源领域中，LTCP3N10 也可作为功率开关使用，提供高效率和高可靠性的解决方案。
　　由于其良好的导热性能和宽工作温度范围，该器件在汽车电子应用中也具备良好的适应性，如车载充电器、电机控制器等。
　　在消费类电子产品中，例如电源适配器、LED 驱动电源等，LTCP3N10 同样能够提供稳定可靠的功率控制性能。

SiHF10N100E, FQA30N10, STP30NF10