时间：2025/12/28 17:04:31
阅读：17
LTA-1000E 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这款器件通常用于高功率和高频率的应用，例如电源管理、电机控制和音频放大器。LTA-1000E 以其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性而著称，适用于需要高效能和可靠性的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为8.5mΩ（典型值更低）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
功耗（PD）：200W
LTA-1000E 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有出色的电气特性和机械稳定性。其主要特性之一是低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗，提高能效。该器件支持高达100A的漏极电流和100V的漏源电压，使其适用于中高功率应用。此外，LTA-1000E 的栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制能力，并减少了误触发的风险。
该MOSFET采用TO-247封装，这种封装形式具有良好的散热性能，能够有效地将热量从芯片传导到散热器，从而提高器件的可靠性和寿命。TO-247封装还具有较大的引脚间距，能够承受较高的电压应力，适用于高电压和高功率环境。
LTA-1000E 的工作温度范围为-55°C至150°C，表明其可以在广泛的温度范围内稳定工作，适用于工业和汽车应用中常见的恶劣环境。该器件的功耗为200W，进一步证明了其在高功率应用中的适用性。
此外，LTA-1000E 在设计上优化了开关性能，减少了开关损耗，使得其在高频应用中也能表现出色。这种特性对于电源转换器和电机控制等需要快速开关的应用尤为重要。由于其优异的性能指标，LTA-1000E 在电源管理、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及音频放大器等应用中得到了广泛的应用。
LTA-1000E 主要应用于需要高功率密度和高效率的电子系统。例如，它常用于电源管理系统，如DC-DC转换器和AC-DC电源适配器，以提供高效的能量转换。在电机控制领域，LTA-1000E 可用于驱动直流电机和步进电机，提供稳定的电流输出和高效的能量利用。此外，在音频放大器中，LTA-1000E 的低导通电阻和良好的线性特性有助于实现高质量的音频输出。该器件还适用于逆变器和不间断电源（UPS）等工业控制设备，确保在高负载条件下稳定运行。
TKA100E10CN1, STP100N10F7AG, IRF1404Z
