类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：115 mA
　　最大漏源电压 (VDS)：60 V
　　最大栅源电压 (VGS)：±20 V
　　导通电阻 (RDS(on))：约 5 Ω（典型值）
　　栅极电荷 (Qg)：8 nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-23

LT2N7002E MOSFET 具备多个关键特性，使其在许多电路设计中成为理想选择。首先，其较高的漏源电压（60V）使其能够在中等电压应用中稳定工作，而不会出现击穿问题。其次，该器件的栅极电荷较低（8nC），有助于减少开关损耗并提高工作效率，特别是在高频开关电路中。此外，LT2N7002E 的导通电阻约为 5Ω，虽然不算极低，但在低电流应用中仍能保持较高的能效。
　　另一个重要特性是其耐用性和热稳定性。由于采用 SOT-23 小型封装，LT2N7002E 在空间受限的设计中非常实用，同时其工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），适用于各种环境条件，包括工业级应用。此外，该器件的栅源电压容限为 ±20V，提供了较高的安全裕量，防止因过高的驱动电压而导致器件损坏。
　　LT2N7002E 的制造工艺确保了良好的参数一致性，使得其在批量应用中具有较高的可靠性。此外，由于其广泛的应用基础，LT2N7002E 在市场上容易获取，并且价格相对合理，是许多电子设计工程师的首选器件之一。

LT2N7002E MOSFET 主要应用于以下几个方面：首先，它常用于低功率开关电路中，例如在数字控制电路中作为控制信号的开关元件。其次，该器件适用于电源管理系统，如电池供电设备中的负载切换，能够有效延长电池寿命。此外，LT2N7002E 也广泛用于传感器接口电路、LED 驱动控制、继电器替代电路以及各种小型电机控制电路。
　　在工业自动化和嵌入式系统中，LT2N7002E 也被用于信号路由和隔离，其小型封装使其适合在高密度 PCB 设计中使用。同时，由于其较高的栅极驱动兼容性，可以与多种逻辑电平（如 3.3V 和 5V）配合使用，因此在单片机或 FPGA 控制的外围电路中也十分常见。

2N7002, BSS138, 2N3904