LT0H34P2 时间：2025/8/28 14:54:05 阅读：20

LT0H34P2 是一款由 Littelfuse 公司制造的 P 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件广泛应用于需要高效率、快速开关特性和紧凑设计的电路中，例如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等。LT0H34P2 采用了先进的封装技术，确保了在高电流负载下依然具备良好的散热性能。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-8.8A
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=4.5V, ID=4.4A 时为 0.028Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8
　　安装类型：表面贴装

特性

LT0H34P2 具备低导通电阻的特点，这使得它在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。其 P 沟道设计特别适用于高边开关应用，例如在同步整流和电源管理电路中。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持从 4.5V 到 20V 的工作电压，提供了更大的设计灵活性。
　　该器件的封装采用 PowerPAK SO-8 形式，不仅节省空间，而且具备优异的热性能，有助于在高电流应用中实现更有效的散热。同时，LT0H34P2 的快速开关特性降低了开关损耗，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和负载开关控制。
　　此外，LT0H34P2 具有良好的热稳定性，并在极端温度下保持稳定的电气性能，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适合在各种工业和消费类电子环境中使用。

应用

LT0H34P2 常用于电源管理领域，如同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关。由于其低导通电阻和高效率特性，非常适合在电池供电设备中使用，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子产品。此外，该 MOSFET 也广泛应用于服务器、通信设备和工业控制系统中的电源模块，用于实现高效的电能转换和分配。
　　在汽车电子领域，LT0H34P2 可用于车载充电器、电机驱动和电池管理系统等应用。其紧凑的封装和良好的热性能使其能够在有限的空间内提供高电流输出，满足现代电子设备对高性能和小型化的需求。