类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-523
　　标称齐纳电压（Vz）：5.6V
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大齐纳电流（Izmax）：130mA
　　最大功率耗散：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　引脚数：2
　　极性：单向

LSTZ5.6NLT1G具备多项优良的电气和物理特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，其标称齐纳电压为5.6V，在5mA的测试电流下具有良好的电压稳定性，适用于高精度的电压参考源设计。其次，该器件具有较低的动态阻抗，有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性，从而提升电路的整体性能。
　　此外，LSTZ5.6NLT1G采用SOD-523封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，特别适合便携式设备和移动电子产品。该封装还具有良好的热稳定性和机械强度，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C至150°C），适应各种复杂的工作环境。
　　该齐纳二极管的最大功率耗散为200mW，最大齐纳电流可达130mA，具备较强的过载能力。同时，其反向漏电流在额定工作条件下非常低，有助于降低电路的静态功耗，提高能效。这些特性使其非常适合用于电池供电设备、电压调节模块、信号调理电路等应用中。
　　从制造和使用的角度来看，LSTZ5.6NLT1G符合RoHS标准，无铅环保，符合现代电子产品对环境保护的要求。其生产过程遵循严格的质量控制标准，确保器件具有良好的一致性和可靠性。

LSTZ5.6NLT1G广泛应用于多种电子系统和设备中，尤其是在需要稳定电压参考或限压保护的场合。典型应用包括：便携式电子设备中的电压参考源、电源管理单元中的稳压电路、ADC/DAC参考电压源、过压保护电路、电压监测模块、电池管理系统等。
　　在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，LSTZ5.6NLT1G可用于为系统中的模拟电路或传感器提供稳定的工作电压。在电源管理系统中，它可以作为电压调节反馈网络的一部分，确保输出电压的稳定性。
　　此外，在工业控制系统、汽车电子模块、通信设备中，该器件也可用于提供电压基准或作为保护元件，防止瞬态电压对敏感电路造成损害。由于其具备良好的温度稳定性和低漏电流特性，特别适用于对功耗和稳定性要求较高的应用场景。

BZX84C5V6LT1G, MMSZ5231B, ZMM5V6, TZMC5V6