您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LST776-P2S1-1-0-20-R18-Z

LST776-P2S1-1-0-20-R18-Z 发布时间 时间:2025/5/23 17:05:28 查看 阅读:18

LST776-P2S1-1-0-20-R18-Z是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动以及DC-DC转换等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统效率并降低能耗。
  该型号属于LST系列,专为高电流和高频率应用场景设计,支持多种封装形式以适应不同的安装需求。此外,其优异的热性能使得它在高功率密度的应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,适合高频电路设计,降低了开关损耗。
  3. 内置ESD保护功能,增强了芯片在恶劣环境中的可靠性。
  4. 支持大电流操作,适用于工业级和汽车级应用。
  5. 良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保,满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动与控制
  3. DC-DC转换器
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备
  6. 汽车电子系统
  7. 可再生能源逆变器

替代型号

LST776-P2S1-1-0-20-R18-Y
  LST776-P2S1-1-0-20-R15-Z
  IRFP260N
  FDP5500
  IXTK120N10T2

LST776-P2S1-1-0-20-R18-Z推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价