LST776-P2S1-1-0-20-R18-Z是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动以及DC-DC转换等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统效率并降低能耗。
该型号属于LST系列,专为高电流和高频率应用场景设计,支持多种封装形式以适应不同的安装需求。此外,其优异的热性能使得它在高功率密度的应用中表现出色。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:30A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:95nC
开关速度:超快
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-247
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力,适合高频电路设计,降低了开关损耗。
3. 内置ESD保护功能,增强了芯片在恶劣环境中的可靠性。
4. 支持大电流操作,适用于工业级和汽车级应用。
5. 良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能稳定运行。
6. 符合RoHS标准,绿色环保,满足国际法规要求。
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动与控制
3. DC-DC转换器
4. 电池管理系统(BMS)
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统
7. 可再生能源逆变器
LST776-P2S1-1-0-20-R18-Y
LST776-P2S1-1-0-20-R15-Z
IRFP260N
FDP5500
IXTK120N10T2