时间：2025/5/23 17:05:28
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LST776-P2S1-1-0-20-R18-Z是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动以及DC-DC转换等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统效率并降低能耗。
该型号属于LST系列，专为高电流和高频率应用场景设计，支持多种封装形式以适应不同的安装需求。此外，其优异的热性能使得它在高功率密度的应用中表现出色。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：95nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频电路设计，降低了开关损耗。
3. 内置ESD保护功能，增强了芯片在恶劣环境中的可靠性。
4. 支持大电流操作，适用于工业级和汽车级应用。
5. 良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能稳定运行。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. DC-DC转换器
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统
7. 可再生能源逆变器
LST776-P2S1-1-0-20-R18-Y
LST776-P2S1-1-0-20-R15-Z
IRFP260N
FDP5500
IXTK120N10T2
