LSP5506SAC 时间：2025/9/6 10:04:21 阅读：4

LSP5506SAC 是一款由 Littelfuse 公司制造的 P 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高可靠性、高效率的电源管理和开关应用而设计。这款 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗并提高了整体系统效率。该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制等电力电子设备中。LSP5506SAC 采用 5 引脚的 PowerPAK? SC-70 封装，具有优异的热性能，适合在高功率密度和高工作温度的环境中运行。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：-6.1A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：-30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：33mΩ @ VGS = -10V，40mΩ @ VGS = -4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：PowerPAK? SC-70（5 引脚）
　　功率耗散（PD）：2.5W

特性

LSP5506SAC 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有极低的 RDS(on) 值，能够在 -10V 和 -4.5V 的栅极电压下分别提供 33mΩ 和 40mΩ 的导通电阻，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的能效。
　　该器件支持最大 -6.1A 的连续漏极电流，并具备 -30V 的漏极-源极耐压能力，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低功率应用场合。
　　其栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容标准逻辑电平控制，方便与各种控制器和驱动 IC 配合使用。
　　LSP5506SAC 采用 PowerPAK? SC-70 封装，具备良好的散热性能，有助于在高功率密度设计中保持较低的工作温度，提升系统的稳定性和可靠性。
　　此外，该 MOSFET 在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内均可稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用中的严苛环境条件。

应用

LSP5506SAC 广泛应用于各种电源管理和功率控制电路中，包括但不限于同步降压和升压转换器、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动电路以及便携式电子设备的电源管理模块。
　　在同步整流电路中，它可作为高边或低边开关，配合 N 沟道 MOSFET 使用，实现高效的能量转换。
　　由于其良好的导通特性和封装散热性能，LSP5506SAC 也常用于汽车电子系统中，如车载充电器、电池保护电路和车身控制模块等。
　　此外，它在工业自动化控制、智能电表、LED 照明驱动以及电信设备电源系统中也具有广泛的应用价值。