时间:2025/12/26 23:39:06
阅读:22
LSIC1MO170E0750是一款由Littelfuse公司推出的高性能瞬态抑制二极管阵列(TVS Array),专为保护高速数据线路和敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)以及雷击感应等瞬态电压事件的损害而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有极低的电容、快速响应时间和高可靠性,适用于多种通信接口和便携式电子设备中的信号线保护。LSIC1MO170E0750属于雪崩型TVS器件,能够在瞬间吸收高达数安培的峰值脉冲电流,并将其钳位至安全电压水平,从而有效防止下游电路因过压而损坏。该器件封装在小型化的DFN-6(或类似)无铅封装中,符合RoHS环保标准,适合自动化贴片生产。其设计目标是满足现代电子产品对高集成度、小尺寸和高电磁兼容性(EMC)性能的要求,广泛应用于消费类电子、工业控制、通信模块及汽车电子等领域。
器件型号:LSIC1MO170E0750
制造商:Littelfuse
通道数:1
工作电压(VRWM):170V
击穿电压(VBR):190V(最小值)
最大钳位电压(VC):290V(在IPP=75A时)
峰值脉冲电流(IPP):75A(8/20μs波形)
峰值脉冲功率(PPPM):21.75kW(8/20μs)
反向漏电流(IR):≤1μA
结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
封装类型:DFN-6
引脚数:6
安装类型:表面贴装(SMD)
产品系列:LSIC1MO
LSIC1MO170E0750具备卓越的瞬态电压抑制能力,其核心特性之一是高能量吸收能力,在面对如雷击感应或大功率开关瞬变等极端电气应力时仍能保持稳定工作。该器件的峰值脉冲功率可达21.75kW(基于8/20μs电流波形),表明其在短时间内可承受极大的瞬态能量冲击而不发生热失效或性能退化。这一特性使其特别适用于户外设备、工业现场总线接口或电源耦合路径中的二级保护方案。
此外,该TVS阵列具有非常低的动态电阻,这有助于将钳位电压控制在尽可能低的水平,从而减少对后级电路的压力。结合其170V的反向关断电压和190V的最低击穿电压,LSIC1MO170E0750可在正常工作条件下保持高阻抗状态,几乎不消耗系统功率,同时确保在超过阈值电压时迅速导通,实现毫微秒级的响应速度。这种快速动作机制对于防止ESD事件(如IEC 61000-4-2 ±15kV空气放电)对敏感CMOS逻辑电路造成损伤至关重要。
另一个显著特点是其出色的可靠性与长期稳定性。器件采用先进的硅PN结技术,经过严格的高温反偏(HTRB)、温度循环和寿命测试验证,确保在恶劣环境条件下仍能维持性能一致性。其DFN-6封装不仅节省PCB空间,还提供了良好的散热性能和机械强度,适用于高振动或温差变化大的应用场景。此外,该器件具有极低的寄生电感和电容,避免对高频信号完整性产生负面影响,因此可用于高速通信线路如CAN、RS-485、以太网PHY接口等场景下的保护设计。
最后,LSIC1MO170E0750符合多项国际安全与环保标准,包括IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)、IEC 61000-4-5(浪涌)以及AEC-Q101车规认证,支持在汽车电子系统中使用。其无卤素、无铅的绿色封装也符合现代可持续制造的趋势。综合来看,该器件是一款兼顾高性能、高可靠性和紧凑设计的理想瞬态保护解决方案。
LSIC1MO170E0750广泛应用于需要高耐压和强瞬态保护能力的电子系统中。典型应用场景包括工业自动化设备中的现场总线接口保护,例如PROFIBUS、Modbus RTU或CAN总线节点,这些系统常暴露于长距离电缆带来的感应雷击或电源耦合干扰,使用该器件可显著提升系统的电磁兼容性和运行稳定性。在通信基础设施领域,它可用于保护基站控制板、光模块接口或路由器背板上的高速数据线,防止由于接地反弹或带电插拔引起的电压尖峰。
在新能源和智能电网设备中,该TVS阵列可用于逆变器控制单元、智能电表通信模块或储能系统监控电路的信号隔离端口保护。其170V工作电压等级适配于许多中压直流系统(如200VDC以下)的辅助电路防护需求。此外,在轨道交通、航空电子和重型机械等高端工业领域,LSIC1MO170E0750可用于关键传感器信号调理电路的前端保护,抵御来自电机启停、接触器切换或电磁阀操作所产生的电气噪声。
随着汽车电子化程度的提高,该器件也可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器接口或车身控制模块中的LIN/CAN-FD总线保护,尤其是在混合动力或纯电动车型中,高压系统附近的低压信号线更易受到共模噪声和地电位漂移的影响,LSIC1MO170E0750能够提供可靠的过压防护。此外,在医疗设备如监护仪、便携式诊断装置中,用于USB、HDMI或串行通信端口的ESD防护,保障设备在医院复杂电磁环境中安全运行。总之,凡是在存在高能量瞬态威胁且要求高可靠性的场合,该器件均表现出优异的适用性。