LSH6355P 时间：2025/8/5 2:34:36 阅读：13

LSH6355P 是一款由 Leshan Radio Company（乐山无线电股份有限公司）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高功率和高频率应用，具有良好的导通特性和较低的开关损耗，广泛应用于电源转换器、电机驱动器、开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器等场合。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：55V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：约 0.018Ω（最大值，典型值 0.014Ω）
　　耗散功率（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220AB

特性

LSH6355P 具备低导通电阻特性，能够在高电流条件下保持较低的导通压降，从而提高系统效率并减少发热。其高耐压能力和良好的热稳定性使其适用于多种功率转换应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具有优异的雪崩能量耐受能力，能够在高应力条件下保持稳定工作。
　　此外，LSH6355P 提供了快速的开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，有助于提升高频应用中的效率。其栅极驱动特性较为稳定，能够在较宽的栅压范围内保持良好的导通状态，适应多种驱动电路设计。TO-220AB 封装形式具备良好的散热能力，适合在高功率密度设计中使用。
　　该 MOSFET还具备较高的可靠性，在恶劣环境下仍能保持稳定运行，适合工业控制、汽车电子和消费类电源设备中的关键功率控制环节。