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LSGT77K 发布时间 时间:2025/12/28 7:52:21 查看 阅读:20

LSGT77K 是一款由 Littelfuse 生产的表面贴装硅基瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于保护敏感电子设备免受瞬态电压事件(如静电放电 ESD、电感负载切换、雷击感应等)造成的损害。该器件采用先进的硅雪崩技术,能够在极短时间内响应过压脉冲,并将电压箝位至安全水平,从而确保后级电路的安全运行。LSGT77K 属于单向 TVS 二极管,适用于直流电源线路或信号线的过压保护场景。其封装形式为 SOD-123FL,具有较小的占板面积,适合高密度 PCB 布局设计。该器件广泛应用于便携式电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子等领域。由于其低漏电流、快速响应时间和高可靠性,LSGT77K 成为许多设计师在电磁兼容性(EMC)防护方案中的首选元件之一。此外,该器件符合 RoHS 指令和无卤素要求,支持绿色环保制造工艺。

参数

类型:单向TVS二极管
  峰值脉冲功率:600W(10/1000μs波形)
  反向工作电压(V_RWM):7.7V
  击穿电压(V_BR):最小8.56V,典型值8.9V,最大9.3V
  钳位电压(V_C):13.3V @ I_PP = 45A
  最大反向漏电流(I_R):10μA @ 7.7V
  峰值脉冲电流(I_PP):45A
  电容值(C_j):典型值为110pF @ 0V
  工作结温范围(T_J):-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOD-123FL
  极性:单向

特性

LSGT77K 具备出色的瞬态电压抑制能力,能够在极短的时间内响应并有效抑制来自外部环境的高压瞬变。其核心优势在于采用了高性能硅雪崩结构,在遭遇超过其击穿电压的瞬态电压时,能够迅速进入雪崩导通状态,将多余能量通过自身泄放到地,从而保护下游电路不受损坏。这种快速响应机制通常在皮秒级别完成,远快于传统的过压保护器件,确保了对敏感半导体器件(如微处理器、FPGA、ADC/DAC 等)的有效防护。
  该器件的钳位性能优异,钳位电压仅为13.3V,即使在高达45A的峰值脉冲电流下也能维持稳定的电压水平,避免被保护电路承受过高电压应力。同时,其较低的动态电阻有助于进一步降低钳位电压,提升系统整体的抗扰度。此外,LSGT77K 的反向漏电流非常小(仅10μA @ 7.7V),在正常工作条件下几乎不会影响电源效率或信号完整性,特别适合用于低功耗或电池供电的应用场合。
  机械与电气稳定性方面,LSGT77K 采用坚固的SOD-123FL封装,具备良好的热稳定性和机械强度,可承受多次重复性的浪涌冲击而不发生性能退化。该封装还具有较低的内部寄生电感,有助于提高高频瞬态响应能力。器件符合AEC-Q101车规级认证标准,表明其在温度循环、湿度、振动等严苛环境下仍能保持可靠运行,因此也适用于汽车电子系统的电源端口保护。
  另一个显著特点是其高度集成性和易用性。无需复杂的外围电路即可实现完整的保护功能,只需将其并联在被保护线路与地之间即可。此外,该器件支持自动贴片装配工艺,适用于大规模自动化生产,有助于降低制造成本并提高产品一致性。

应用

LSGT77K 广泛应用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中,尤其适合用于直流电源输入端口的过压防护,例如 USB 接口、DC-DC 转换器输入端、电池供电设备的电源轨等。在通信领域,它可用于以太网接口、RS-232/RS-485 数据线、CAN 总线等信号线路的 ESD 和浪涌保护,防止因雷击感应或静电放电导致通信中断或芯片损坏。
  在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,LSGT77K 可用于保护显示屏驱动电路、摄像头模块、传感器接口等对电压敏感的部分,提升产品的耐用性和用户体验。由于其小型化封装和低漏电特性,非常适合空间受限且注重能效的设计。
  工业控制与自动化系统中常面临复杂的电磁干扰环境,LSGT77K 可用于 PLC 输入输出端口、继电器驱动电路、电机控制器电源线等位置,提供可靠的瞬态抑制能力,保障系统长期稳定运行。
  在汽车电子方面,尽管更高功率的应用可能需要更大封装的 TVS 器件,但 LSGT77K 仍可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、传感器供电线路等低压直流电路的次级保护,配合其他保护元件构成多级防护体系。此外,其符合 AEC-Q101 认证的特点使其更适合部署在车辆中对可靠性要求较高的电子节点上。

替代型号

SMCJ7.5AHE3_A/H/LF
  SML4936A-TP
  P6KE7.5A-AU_R1_00001
  ESD57111D05R

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