型号：LSE67F
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDSS)：60 V
　　最大漏极电流(ID)：200 A（连续）
　　导通电阻(RDS(on))：1.8 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 100 A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2.9 V（典型值）
　　输入电容(Ciss)：12000 pF（典型值）
　　输出电容(Coss)：2800 pF（典型值）
　　反向恢复时间(trr)：25 ns（典型值）
　　最大功耗(Ptot)：300 W（带散热）
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerSSO-36 (DFN5x6)
　　安装方式：表面贴装(SMD)

LSE67F的核心优势在于其卓越的导通性能和高效的热管理能力。该器件采用了ST先进的STripFET? F7系列工艺技术，显著降低了RDS(on)，在60V额定电压下实现了仅1.8mΩ的典型导通电阻，有助于大幅降低传导损耗，提升整体系统效率。这一特性对于大电流应用尤为重要，如电动汽车车载充电机、48V电源系统和高功率密度DC-DC变换器。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），使得在高频开关应用中能够减少驱动损耗，加快开关速度，从而进一步优化能效。
　　LSE67F的PowerSSO-36封装设计支持双面散热，允许热量从顶部和底部同时传导至PCB或散热器，极大提升了热传导效率。这种结构特别适合于空间受限但功率要求高的应用场景，有助于实现更紧凑的电源模块设计。器件还具备出色的动态性能，包括快速的开关响应时间和较低的反向恢复电荷（Qrr），有效减少了体二极管在续流过程中的能量损耗，防止因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰问题。
　　在可靠性方面，LSE67F经过严格的测试验证，具备优良的抗雪崩能力和稳健的短路耐受性，能够在瞬态过压或负载突变等恶劣条件下保持稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）确保了在高温环境下的长期可靠性，适用于发动机舱附近或工业设备内部等高温场景。此外，该器件通过AEC-Q101认证，表明其满足汽车电子元器件的严苛可靠性标准，可用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）、电池断开单元（BDU）等关键应用。综合来看，LSE67F凭借其低RDS(on)、优异热性能和高可靠性，成为现代高效功率转换系统的理想选择。

LSE67F主要应用于需要高电流、高效率和高可靠性的电力电子系统中。其典型应用包括车载充电机（OBC）、48V/12V DC-DC转换器、电动车辆的动力电池管理系统（BMS）中的主开关或预充电开关、逆变器和电机驱动电路。由于其低导通电阻和优异的热性能，该器件非常适合用于服务器电源、电信整流器、工业电源模块等高功率密度电源系统。在新能源领域，LSE67F可用于太阳能微逆变器和储能系统的功率开关，实现高效的能量转换。此外，在工业自动化设备中，如PLC、伺服驱动器和UPS不间断电源中，LSE67F也能发挥其快速开关和低损耗的优势。得益于其AEC-Q101认证，该器件广泛用于各类汽车电子应用，包括电动汽车的高压配电单元、车载加热器控制、DC-DC升压模块等。在消费类高端产品中，如高性能游戏主机电源或大功率LED照明驱动中，LSE67F同样具备竞争力。其双面散热封装使其特别适合采用先进封装技术的电源模块，如SiP（系统级封装）或模块化电源设计。总体而言，LSE67F适用于所有追求高效率、高功率密度和高可靠性的现代电力电子应用。

STW67N60FS
　　IPB60R021CFDA