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LSCR523EBFS8TL 发布时间 时间:2025/12/25 12:18:36 查看 阅读:15

LSCR523EBFS8TL是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的表面贴装整流器芯片,属于其高性能、高可靠性整流器产品线中的一员。该器件采用先进的半导体工艺制造,专为在各种电源转换和信号处理应用中提供高效、稳定的整流功能而设计。LSCR523EBFS8TL具有低正向压降、高反向击穿电压以及优良的热稳定性等优点,能够在较宽的温度范围内可靠工作,适用于对效率和可靠性要求较高的电子系统。该整流器广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信基础设施以及汽车电子等领域。其SOD-123FL小型化封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,适合高密度布局的现代电路设计需求。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,满足当前绿色电子产品的设计规范。LSCR523EBFS8TL通过严格的品质认证,确保在批量生产和长期运行中的稳定性和一致性,是中小功率整流应用的理想选择之一。

参数

类型:表面贴装硅整流二极管
  封装/外壳:SOD-123FL
  最大重复峰值反向电压(VRRM):200V
  最大直流阻断电压(VR):200V
  平均整流电流(Io):500mA
  正向压降(VF)典型值:1.25V @ 200mA
  峰值浪涌电流(IFSM):30A
  反向漏电流(IR):5μA @ 125°C
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  热阻抗(RθJA):250°C/W(典型值)
  安装类型:表面贴装

特性

LSCR523EBFS8TL作为一款高性能的表面贴装整流二极管,其核心优势在于优异的电气特性和高可靠性。首先,该器件具备高达200V的重复峰值反向电压(VRRM),使其能够安全地应用于中高压整流场合,有效防止因瞬态过压导致的击穿风险。其平均整流电流为500mA,在同类小型封装器件中表现突出,足以支持多种低功耗电源管理电路的需求。更为重要的是,该整流器在200mA工作电流下的典型正向压降仅为1.25V,相较于传统肖特基或普通PN结二极管,这一数值虽略高,但由于其采用的是快恢复硅二极管结构,因此在反向恢复时间与漏电流之间实现了良好平衡,特别适合高频开关环境下的整流任务。
  该器件具有出色的热稳定性,结温范围可达-55°C至+150°C,确保在极端环境条件下仍能维持正常功能,适用于工业级和部分汽车级应用场景。其反向漏电流在高温下控制在5μA以内,显著降低了待机功耗和热损耗,提升了系统的整体能效。此外,LSCR523EBFS8TL具备30A的峰值浪涌电流承受能力,能够在电源启动或负载突变时有效抵御瞬时大电流冲击,提高系统鲁棒性。SOD-123FL封装体积小巧,尺寸约为2.7mm x 1.8mm x 1.1mm,便于实现紧凑型PCB布局,并支持自动化贴片生产流程,提升制造效率。该封装还具备较低的热阻抗(约250°C/W),有助于热量快速散发,延长器件寿命。整体而言,LSCR523EBFS8TL以其高耐压、适中电流能力、良好热性能及环保合规性,成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

应用

LSCR523EBFS8TL整流二极管广泛应用于多种电子系统中,尤其适用于需要中等电流、高反向耐压和高可靠性的电源整流场景。常见应用包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流电路,用于将高频交流电压转换为直流电压,配合变压器完成能量传递;也可用于DC-DC转换器中的续流二极管,防止电感反电动势损坏主控芯片。在消费类电子产品如智能手机充电器、LED驱动电源、路由器和机顶盒等设备中,该器件凭借其小尺寸和高效率特性,被广泛采用以优化PCB空间利用并提升电源转换效率。
  在工业控制系统中,LSCR523EBFS8TL可用于传感器供电模块、PLC输入输出隔离电路以及继电器驱动回路中的反向电压保护,防止感性负载断开时产生的反峰电压对控制单元造成损害。此外,在通信设备如基站电源模块、光模块供电单元中,该整流器可作为防反接保护元件或辅助电源整流使用,保障系统稳定运行。由于其具备良好的温度适应性和长期可靠性,该器件也适用于部分车载电子系统,例如车载信息娱乐系统、行车记录仪和车用充电模块等非主驱类应用。同时,它还可用于电池充电管理电路、电源极性保护电路以及各类适配器和电源适配模块中,发挥其整流与保护双重功能。总体来看,LSCR523EBFS8TL凭借其综合性能优势,已成为众多中小型电源系统中关键的被动器件之一。

替代型号

MMBD2838WT1G, MURS320, RB520S-40T1G, BZT52C20, SS12

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