LSC429052DWR2 时间：2025/9/3 9:42:46 阅读：24

LSC429052DWR2 是一款由 LSC（Leshan Radio Company）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、电机控制以及 DC-DC 转换器等应用中。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适用于高效率、高功率密度的设计需求。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：55V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：50A（@Tc=25℃）
　　导通电阻 Rds(on)：≤ 5.2mΩ（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

LSC429052DWR2 具备出色的导通性能和开关特性，适用于高效率的功率转换系统。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该 MOSFET 采用先进的沟槽式结构设计，提高了单位芯片面积上的电流承载能力，同时优化了热阻特性，使得器件在高负载条件下仍能保持良好的热稳定性。
　　此外，LSC429052DWR2 的栅极驱动电压范围较宽（最高可达 ±20V），兼容多种栅极驱动电路设计。其封装形式为 TO-252（DPAK），便于安装和散热管理，适用于表面贴装工艺（SMT），提高了生产自动化程度和可靠性。