时间：2025/9/3 9:42:46
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LSC429052DWR2 是一款由 LSC（Leshan Radio Company）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、电机控制以及 DC-DC 转换器等应用中。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适用于高效率、高功率密度的设计需求。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：55V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：50A（@Tc=25℃）
导通电阻 Rds(on)：≤ 5.2mΩ（@Vgs=10V）
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
LSC429052DWR2 具备出色的导通性能和开关特性，适用于高效率的功率转换系统。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该 MOSFET 采用先进的沟槽式结构设计，提高了单位芯片面积上的电流承载能力，同时优化了热阻特性，使得器件在高负载条件下仍能保持良好的热稳定性。
此外，LSC429052DWR2 的栅极驱动电压范围较宽（最高可达 ±20V），兼容多种栅极驱动电路设计。其封装形式为 TO-252（DPAK），便于安装和散热管理，适用于表面贴装工艺（SMT），提高了生产自动化程度和可靠性。
LSC429052DWR2 主要应用于各种中高功率的电力电子系统中。典型应用包括同步整流、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、电源适配器以及各类工业控制设备中的功率开关电路。
Si4410BDY, IRF540N, AOD4144, FDS4410A
