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LS431650ND 发布时间 时间:2025/12/28 4:09:20 查看 阅读:20

LS431650ND是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,专为保护敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应等瞬态过电压事件的影响而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低电容、快速响应时间和高可靠性等特点,适用于高速数据线路和精密模拟接口的保护。LS431650ND集成了多个TVS二极管,能够同时保护多条信号线,广泛应用于通信设备、消费类电子产品、工业控制系统以及汽车电子等领域。其封装形式为小型化的DFN(Dual Flat No-lead)封装,有助于节省PCB空间,适合高密度布局的设计需求。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-4等国际电磁兼容性测试标准,确保在严苛环境下的稳定运行。

参数

器件型号:LS431650ND
  制造商:Littelfuse
  通道数:6
  工作电压(VRWM):5V
  击穿电压(VBR):最大6.3V
  钳位电压(VC):13.5V(在IPP=1A条件下)
  峰值脉冲电流(IPP):1A(8/20μs波形)
  寄生电容(典型值):0.4pF(每通道)
  漏电流(IR):小于1μA(在最大工作电压下)
  响应时间:小于1ns
  封装类型:DFN-10
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  ESD耐受能力:±15kV(接触放电,IEC 61000-4-2 Level 4)
  反向工作电压:5V

特性

LS431650ND的核心特性之一是其超低的寄生电容,每个通道的典型电容仅为0.4pF,这一特性使其非常适合用于保护高频信号线路,例如USB 3.0、HDMI、DisplayPort、SD卡接口以及其他高速串行通信总线。在这些应用中,信号完整性至关重要,任何额外的电容都可能导致信号衰减或失真,而LS431650ND几乎不会对原始信号造成影响,从而保证了系统的高性能传输。
  另一个关键优势是其极快的响应时间,小于1纳秒,能够在瞬态过压事件发生的瞬间迅速导通并将能量泄放到地,有效防止下游IC因电压突变而损坏。这种快速响应能力对于应对静电放电(ESD)尤为关键,因为ESD脉冲上升时间极短(通常在几百皮秒内),只有具备足够快响应速度的保护器件才能及时发挥作用。
  LS431650ND还具备优异的功率处理能力和热稳定性。虽然其额定峰值脉冲电流为1A(8/20μs),但在实际应用中可以多次承受此类冲击而不发生性能退化。器件内部结构经过优化设计,具有良好的热传导路径,能够在连续或重复性瞬态事件中保持稳定工作,延长系统寿命。
  该器件采用DFN-10小型封装,不仅节省宝贵的PCB空间,而且支持自动化贴片生产,提升了制造效率和产品一致性。此外,其引脚布局合理,便于布线和接地设计,有助于降低回路电感,提高整体保护效能。
  LS431650ND符合多项国际安全与环保标准,包括IEC 61000-4-2(ESD抗扰度)、IEC 61000-4-4(EFT抗扰度)以及AEC-Q101(汽车级可靠性认证),因此不仅可用于工业和消费类设备,也适用于对可靠性和环境适应性要求较高的车载信息娱乐系统和传感器接口。

应用

LS431650ND广泛应用于需要高等级静电防护的高速数据接口电路中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB Type-C、microSD卡槽、摄像头模块和触摸屏控制器等接口保护。在这些设备中,用户频繁插拔连接器或直接接触接口端口,极易引入静电放电,LS431650ND能有效吸收这些瞬态能量,防止主控芯片或电源管理单元受损。
  在通信领域,该器件可用于以太网PHY接口、CAN总线、I2C、SPI和UART等数字信号线的保护,特别是在工业自动化控制系统中,面对复杂的电磁环境,LS431650ND提供了可靠的前端防护屏障。
  此外,在汽车电子系统中,如车载导航、倒车影像、ADAS传感器信号线等,LS431650ND凭借其AEC-Q101认证和宽温工作能力,能够在高温、振动和电气噪声严重的环境下长期稳定运行,保障行车安全与系统可靠性。
  消费类家电如智能电视、机顶盒、打印机和游戏主机中,LS431650ND也被用于HDMI、DP、音频接口等高速信号通道的ESD防护,提升产品的耐用性和用户体验。

替代型号

RCLAMP0524P

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