LRS1336 是一款由 Rohm(罗姆)公司推出的 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和负载开关应用。该器件具有低导通电阻、高可靠性以及紧凑的封装设计,适用于便携式设备、工业控制系统和电源管理模块。LRS1336 的主要特点是其内置的栅极保护二极管,能够在高电压或静电放电(ESD)条件下提供更高的稳定性。
类型:P 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):-30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):-6A
导通电阻(Rds(on)):110mΩ @ Vgs = -10V
导通电阻(Rds(on)):180mΩ @ Vgs = -4.5V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:SOP(表面贴装)
LRS1336 具备多项优异的电气和物理特性。首先,其低导通电阻确保了在高电流应用中具有较低的功率损耗,从而提高整体系统的效率。此外,该器件的栅极保护二极管设计使其在面对电压突变或静电放电时具备更强的抗干扰能力,提升了系统的稳定性与可靠性。
其次,LRS1336 采用 SOP 表面贴装封装,体积小巧,适合用于空间受限的设计中,如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。该封装形式也便于自动化生产和高效的热管理。
再者,该 MOSFET 支持较高的工作温度范围(-55°C 至 150°C),适用于各种恶劣环境条件下的工业和汽车应用。同时,其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高电源转换效率,适用于需要高频率开关操作的电路设计。
最后,LRS1336 的设计还考虑到了易于使用和集成,能够与多种控制电路兼容,降低了设计复杂性和成本。
LRS1336 常用于多种电子系统的电源管理模块中,例如笔记本电脑、平板电脑、智能穿戴设备等便携式电子产品中的电池供电系统。在这些应用中,LRS1336 可作为负载开关或反向电流保护器件使用,以提高系统的能效和稳定性。
此外,LRS1336 也广泛应用于工业控制设备,如 PLC(可编程逻辑控制器)、传感器模块和电机驱动电路中,作为高效的功率开关元件。在汽车电子系统中,如车载充电器、DC-DC 转换器和车身控制模块,LRS1336 能够提供可靠的电源管理解决方案。
由于其高可靠性和抗静电能力,LRS1336 还适用于需要高稳定性的通信设备、测试仪器和嵌入式系统中。在这些领域,该器件能够确保在复杂电磁环境中的稳定运行,并减少因电压波动或静电放电导致的故障率。
Si4435BDY-T1-GE3, AO4406A, FDC640P