类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻 Rds(on)：@Vgs=10V 时 ≤ 6.5mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LRC8808FDT1G 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。在 10V 栅极驱动电压下，Rds(on) 最大值为 6.5mΩ，确保了在高电流应用中保持较低的功率损耗。
　　该 MOSFET 具有高耐压能力，漏源电压最大为 30V，同时栅源电压允许范围为 ±20V，使其在多种功率电路中都能稳定工作。其连续漏极电流能力高达 60A，适合用于高功率密度的设计。
　　此外，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得在保持高性能的同时，还能实现紧凑的封装形式。TO-252（DPAK）封装不仅便于散热，还支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。
　　由于其出色的热性能和电气性能，LRC8808FDT1G 在工作温度范围 -55°C 至 175°C 内均能稳定运行，适用于严苛的工业环境。

LRC8808FDT1G 主要应用于需要高效率和高电流能力的功率电子设备中。常见的应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）等。
　　在电源管理领域，该 MOSFET 可用于高效能的开关电源（SMPS）和稳压模块中，特别是在要求低导通损耗和高可靠性的设计中表现优异。
　　此外，LRC8808FDT1G 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具、LED 驱动电源等场景，其良好的热稳定性和电流承载能力使其成为高性能功率控制的理想选择。

SiR882DP-T1-GE3, FDS6680, IRF1404, AO4406A