类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：160A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：≤2.5mΩ（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散(Pd)：125W
　　输入电容(Ciss)：约 2900pF（在 Vds=25V）
　　开启延迟时间(td(on))：约 13ns
　　关闭延迟时间(td(off))：约 40ns

LRC8806DT1G 具备多项优异特性，使其在功率开关应用中表现出色。
　　LRC8806DT1G 的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。这一特性对于高电流应用尤为重要，能够有效降低温升，提升系统的稳定性与可靠性。
　　该器件采用 TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，适合自动化生产流程。TO-252 封装在保证机械强度的同时，还具备较好的热管理能力，使得 LRC8806DT1G 在高功率密度设计中表现出色。
　　LRC8806DT1G 支持高达 160A 的连续漏极电流，具备较强的电流承载能力，适用于高负载场合。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的 10V 驱动电压，也可在更高电压下运行，提升开关性能。
　　该 MOSFET 的工作温度范围广泛，从 -55℃ 到 175℃，可在极端环境条件下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子、电源适配器等多种应用领域。
　　此外，LRC8806DT1G 还具备较快的开关速度，开启延迟时间约为 13ns，关闭延迟时间约为 40ns，适合高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和马达驱动电路。

LRC8806DT1G 主要应用于需要高效能、高电流承载能力的功率开关电路中。
　　该器件广泛用于各类电源管理系统，如 AC-DC 电源适配器、DC-DC 转换器、同步整流模块等，以提高系统效率并减小散热设计的体积。
　　在电机控制和马达驱动应用中，LRC8806DT1G 凭借其高电流容量和低导通电阻，可实现高效、稳定的驱动控制。
　　此外，它也适用于电池管理系统、负载开关、LED 驱动器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其宽温度范围和高可靠性，LRC8806DT1G 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）等对性能和稳定性要求较高的场合。

SiR882DP-T1-GE3, IPW90R120C3, FDP8806, STP160NFV25, IRF1405