时间：2025/8/13 5:14:29
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LRC-LBSS138是一款由LRC（乐山无线电）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高效率的特点，能够在高频率下工作，提供良好的热稳定性和可靠性。LRC-LBSS138采用SOP-8封装，适合表面贴装工艺，适用于现代电子设备的紧凑型设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8A（在Vgs=10V时）
导通电阻(Rds(on))：最大值22mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOP-8
LRC-LBSS138的主要特性包括低导通电阻、高电流容量和优异的热性能。该器件采用了先进的沟槽式工艺，降低了导通损耗，提高了系统效率。其低Rds(on)特性使其在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗，减少发热，提高整体系统的可靠性。此外，该MOSFET具有良好的栅极电荷特性，使其在高频开关应用中表现优异，适用于各类高效能电源转换系统。
LRC-LBSS138还具备出色的抗雪崩能力和过热保护功能，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其SOP-8封装设计不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，支持表面贴装技术，便于大规模生产和自动化组装。这使得LRC-LBSS138在消费类电子产品、工业控制系统、汽车电子以及通信设备中都有广泛的应用前景。
LRC-LBSS138适用于多种电源管理场合，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统。其高效率和低导通电阻特性使其成为笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的理想选择。此外，在工业自动化、LED照明驱动、UPS不间断电源以及电动工具中也常见其身影。该器件的高可靠性和优异的热稳定性使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，满足高要求的应用场景。
Si2302DS, AO3400, IRF7409, FDS6680
