LRB751BS-40T5G 时间：2025/8/13 23:50:27 阅读：17

LRB751BS-40T5G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件专为高频率、高速开关和放大应用而设计，适用于各种电子设备和系统。LRB751BS-40T5G采用了先进的制造工艺，确保了在高频条件下依然具有优异的性能和稳定性。该晶体管通常采用SOT-23（Small Outline Transistor）封装，适合表面贴装技术（SMT），广泛应用于通信设备、消费电子产品和工业控制系统等领域。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　最大工作频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作条件）
　　封装类型：SOT-23

特性

LRB751BS-40T5G晶体管具有多项优异特性，适用于高频和高速开关应用场景。首先，其高工作频率（fT）达到250MHz，使其在射频（RF）和高速数字电路中表现出色。其次，该晶体管的最大集电极-发射极电压为40V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源和信号处理电路。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围为110至800，根据不同的工作电流和电压条件变化，提供了良好的信号放大能力，适合用于前置放大器、开关电路和数字逻辑电路。此外，其最大集电极电流为100mA，能够支持中等功率的应用，如LED驱动、继电器控制和小型马达控制。
　　LRB751BS-40T5G采用SOT-23封装，体积小巧，适合表面贴装技术（SMT），提高了印刷电路板（PCB）的集成度和生产效率。这种封装还具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定的工作温度。
　　此外，该晶体管的高可靠性和稳定性使其适用于恶劣环境条件下的工业控制系统和汽车电子应用。安森美半导体为该器件提供了严格的质量控制和可靠性测试，确保其在各种应用场景中都能提供长期稳定的工作表现。

应用

LRB751BS-40T5G晶体管广泛应用于多个电子领域。在通信设备中，该晶体管可用于射频（RF）放大器、混频器和调制解调器等高频电路。在消费电子产品中，LRB751BS-40T5G可以用于音频放大器、开关电路和传感器接口电路。在工业控制系统中，该晶体管可作为继电器驱动器、电机控制器和数字逻辑电路的关键组件。此外，该器件还可用于电源管理电路、LED驱动电路和小型电子设备中的信号处理电路。