LRB731XNR 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件设计用于高频放大和开关应用,具有优异的性能和可靠性。由于其紧凑的封装和高效的电气特性,LRB731XNR广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
类型:NPN型晶体管
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极-基极电压(Vcb):30V
最大功耗(Pd):200mW
电流增益(hFE):110-800(取决于工作电流)
过渡频率(fT):100MHz
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT-23
LRB731XNR晶体管具有多项优异的电气和物理特性。首先,其高频响应能力高达100MHz,使其非常适合用于射频(RF)和高频放大电路。其次,该晶体管具备较高的电流增益(hFE),范围从110到800,具体取决于工作电流,这使得它在信号放大和开关电路中具有良好的性能。此外,该器件的封装为SOT-23,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。
该晶体管的热稳定性也较好,工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种环境条件下的应用。同时,其最大功耗为200mW,能够在低功耗设计中提供稳定的性能。另外,LRB731XNR具有较低的饱和压降(Vce_sat),有助于减少开关损耗并提高能效。
由于其良好的电气特性和广泛的工作范围,LRB731XNR适用于各种通用放大和数字开关电路。它还具有较强的抗静电能力,能够承受一定程度的静电放电(ESD),从而提高器件在生产、组装和实际使用中的可靠性。
LRB731XNR晶体管广泛应用于多个领域。在消费电子方面,它常用于音频放大器、逻辑电路和电源管理模块。在工业控制领域,该晶体管可用于传感器接口电路、继电器驱动器和电机控制电路。此外,在通信系统中,它可作为射频放大器或调制解调器的前置放大器使用。
由于其高频响应能力,LRB731XNR也常用于无线通信设备中的射频前端模块,如发射器和接收器的信号放大电路。在嵌入式系统中,它可以作为微控制器的输出驱动器,用于控制LED、继电器或其他外围设备。
此外,该晶体管还可用于模拟开关电路,在需要高速切换的应用中表现出色。例如,在自动测试设备(ATE)或数据采集系统中,LRB731XNR可以快速响应控制信号,实现高效的信号切换。
BC847系列, 2N3904, MMBT3904