晶体管类型：NPN双极性晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　电流增益（hFE）：110（最小值，典型值为300）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-553

LRB551V-30T1H 拥有多项显著的电气和机械特性，使其在多种电子电路设计中表现出色。
　　首先，该器件集成了两个独立的NPN晶体管，共享相同的电气特性，从而减少了PCB空间的占用，并提高了设计的灵活性。每个晶体管都具有高增益性能，在低电流条件下也能保持稳定的放大能力，适合用于小信号放大和高精度模拟电路设计。
　　其次，LRB551V-30T1H 的最大集电极-发射极电压为30V，集电极电流最大可达100mA，适用于中低功率的开关和放大应用。其较高的过渡频率（fT为100MHz）使得该器件能够在高频电路中稳定工作，例如在射频前端、数据通信和音频放大器中使用。

LRB551V-30T1H 主要应用于需要双晶体管配置的电子电路中，例如：
　　1. 模拟信号放大器：用于音频放大、传感器信号调理和运算放大器前端设计。
　　2. 数字开关电路：用于逻辑控制、继电器驱动和LED控制电路。
　　3. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、负载开关和稳压电路中的控制部分。
　　4. 工业控制系统：如工业自动化设备、测量仪器和通信设备中的信号处理和驱动电路。
　　5. 汽车电子系统：包括车载信息娱乐系统、车身控制模块和传感器接口电路等。
　　6. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、智能手表等便携式设备中的低功耗控制电路。

2N3904、BC547、MMBT3904、DMMT3904、2N4401