时间：2025/8/13 6:36:45
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LR9198-30BAPRN是一款由LRC（乐山无线电）生产的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于各种电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合于高频率开关应用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：8A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.022Ω（典型值）
功率耗散（PD）：42W
工作温度范围：-55°C至150°C
LR9198-30BAPRN具有低导通电阻的特点，这意味着它在导通状态下的电压降较小，从而减少了功率损耗并提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET还具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定的工作状态。采用先进的沟槽技术还使得该器件具有更快的开关速度，适用于高频开关应用。
这款MOSFET的封装形式为TO-252，便于安装和散热，适用于表面贴装技术（SMT）。其高可靠性和耐用性使其成为各种电源管理应用的理想选择，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电池充电器和电机控制器等。
LR9198-30BAPRN MOSFET被设计用于需要高效能和高可靠性的各种电源管理和功率转换应用。典型应用包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、负载开关电路、电池充电器、电机控制器以及各种工业控制设备中的功率开关部分。由于其出色的性能和可靠性，该器件也适用于汽车电子系统中的电源管理模块。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF7484TRPBF, FDS6680, AO4406A
