类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤15mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LR9198-15BAPURN 具备多项优异性能，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时最大仅为15毫欧，这使得器件在高电流工作状态下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽式结构，增强了电流的承载能力和热稳定性，从而提升了整体的可靠性。
　　此外，该器件具有较高的栅极电压耐受能力，最大栅源电压为±20V，使其在各种驱动条件下均能保持稳定工作。其高电流容量（Id=80A）和良好的热性能（功率耗散为100W）使其适用于高功率密度的设计场景。
　　TO-252（DPAK）封装形式不仅支持表面贴装工艺，还具备良好的散热性能，适用于需要高效散热的电源管理系统。同时，该封装形式符合RoHS环保标准，满足现代电子产品对无铅和环保的要求。
　　LR9198-15BAPURN 还具备良好的开关特性，具有较快的上升和下降时间，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动电路等。

LR9198-15BAPURN 常用于多种功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备、LED照明驱动以及电机控制电路等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率和高功率密度设计的理想选择。

IRF1405、SiS436DN、AO4405、FDMS86101