类型：PNP晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率响应：100MHz
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　封装类型：TO-92

LR8809C33M晶体管具有多个显著的电气和物理特性，适用于多种电子电路设计。
　　首先，其PNP结构使其在负电压应用中表现出色，适合用于高侧开关和放大电路。该晶体管的最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，能够在中等功率范围内提供稳定的工作性能。此外，其最大功耗为300mW，确保在较长时间运行下不会出现过热问题。
　　其次，LR8809C33M具有100MHz的频率响应和增益带宽积，适用于高频放大电路，如射频（RF）前置放大器和中频放大器。其高频特性使其在通信设备和信号处理电路中表现优异。
　　最后，该晶体管采用TO-92封装，具有良好的散热性能和机械稳定性。TO-92封装也便于手工焊接和自动化生产，适合批量应用。LR8809C33M在温度稳定性方面表现出色，能够在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能。

LR8809C33M晶体管的应用范围广泛，涵盖了多个电子领域。
　　在音频放大电路中，该晶体管可用于前置放大器、功率放大器和音频信号处理电路。其良好的频率响应和线性放大特性使其能够提供清晰的音频输出。
　　在开关电路中，LR8809C33M可用于控制负载的通断，如LED驱动、继电器控制和电源管理模块。其PNP结构使其在高侧开关应用中特别有用，能够有效地控制电源供应。
　　此外，该晶体管还可用于射频放大器、振荡器和混频器等高频电路。其100MHz的频率响应使其适用于无线通信模块和射频前端电路。
　　在工业控制和自动化系统中，LR8809C33M可用于传感器信号放大、数据采集和执行器控制。其稳定性和可靠性确保在恶劣工业环境中仍能正常工作。

BC557, 2N3906