类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ（典型值）
　　功耗（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

LR8808N27MR 具备优异的导通性能和低导通电阻，确保了在高电流应用中的效率和稳定性。其导通电阻仅为 30mΩ，有效降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。此外，该 MOSFET 的最大漏极电流可达 8A，适用于需要较高电流承载能力的电路设计。其最大漏源电压为 60V，使得该器件能够在较宽的电压范围内可靠工作。
　　该器件采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能和机械强度，适合在高密度电路板设计中使用。其最大功耗为 30W，能够在较高功率应用中稳定运行。此外，LR8808N27MR 的工作温度范围为 -55°C ~ 150°C，使其能够在极端环境条件下保持良好的性能和可靠性。
　　在栅极驱动方面，LR8808N27MR 支持 ±20V 的最大栅源电压，使得其能够兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。同时，该 MOSFET 还具备良好的抗静电能力和热稳定性，进一步增强了其在复杂电磁环境中的可靠运行能力。

LR8808N27MR 常用于工业自动化控制、电源转换器、电机驱动器、电池管理系统、LED 照明驱动器等应用场景。由于其优异的导通性能和高可靠性，它在 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等电路中表现出色。此外，该器件也适用于消费类电子产品中的电源管理模块，为系统提供高效稳定的功率控制解决方案。

Si4410BDY-T1-GE3, IRFZ44N, AO4408, FDS6680, DMN6010SSS