时间：2025/8/13 1:37:09
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LR6302B36M是一款由LRC（乐山无线电股份有限公司）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制等高频率、高效率的功率电子设备中。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)）、高耐压、高电流承载能力以及良好的热稳定性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极连续电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：最大3.6mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
功率耗散(Pd)：100W
LR6302B36M具有非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在高频开关应用中表现出色，同时具备良好的热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。
其TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还具备较高的机械强度和可靠性，适用于各种工业环境下的应用。此外，该MOSFET具备较高的短路耐受能力，能够在极端工况下保护电路不受损坏。
由于其高栅极电荷（Qg）特性，该器件在开关过程中能够保持较低的开关损耗，从而进一步提升系统的能效。此外，该MOSFET的快速恢复二极管特性也使其在反向电流应用中表现出色。
LR6302B36M广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、马达驱动器、电源开关、工业自动化设备以及电动车控制系统等。
在电源管理领域，该MOSFET可作为高侧或低侧开关使用，尤其适用于高效率、高密度的电源模块设计。在电动车和储能系统中，该器件可用于BMS中的充放电控制电路，确保电池组的安全稳定运行。
此外，LR6302B36M也常用于高性能计算设备的电源供应系统中，如服务器、工作站等，以提供稳定的电压调节和高效的能量转换。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF1010EZ, AO4407A, FDS6680, NVTFS5C471NLWTAG
