类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：600V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：12A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 470mΩ
　　功率耗散 PD：83W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

LR6200A47M 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的 Rds(on) 典型值为 470mΩ，在高温条件下仍能保持稳定性能。此外，该 MOSFET 支持高达 600V 的漏源电压，适用于中高功率应用，如开关电源（SMPS）、LED 照明驱动器和工业电机控制。
　　这款 MOSFET 还具备较高的热稳定性和耐用性，能够在恶劣环境中稳定运行。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载下仍能保持较低的工作温度。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的驱动电压，使其兼容多种驱动电路设计。
　　在短路和过载情况下，LR6200A47M 表现出良好的抗冲击能力，能够在短时间内承受较高的电流和电压应力，从而提高系统的可靠性。该 MOSFET 的封装形式也便于安装和散热管理，适用于各种工业和消费类电子产品。

LR6200A47M 广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统以及各种负载开关电路。其高耐压和中等电流能力使其特别适合用于 LED 照明驱动器和工业自动化控制设备。在家电领域，该 MOSFET 可用于变频空调、洗衣机和电磁炉等产品的功率控制模块。
　　在新能源领域，该器件也适用于太阳能逆变器、储能系统和电动车充电模块等应用。由于其良好的热稳定性和抗冲击能力，LR6200A47M 在高可靠性要求的工业控制和自动化系统中也得到了广泛应用。此外，该 MOSFET 还可用于 UPS（不间断电源）和电源管理模块，作为主开关或同步整流器使用。
　　对于设计工程师而言，该 MOSFET 提供了良好的性价比，适合在中功率应用中替代更高成本的器件。其标准的 TO-220 封装也便于手工焊接和自动化生产，适用于从研发到批量生产的整个产品生命周期。

IRF840、FQA12N60、STP12N60M5、TK11A60D、2SK2141