LR6155E6-FD 时间：2025/8/13 10:44:23 阅读：9

LR6155E6-FD 是一颗由 ROHM（罗姆）半导体公司推出的 P 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理系统，特别适用于负载开关、DC-DC 转换器以及电池供电设备中的功率控制应用。LR6155E6-FD 采用小型封装，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，能够在高频率下稳定运行，适合用于紧凑型电子设备中的功率管理。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：30 V
　　栅源电压 Vgs：±20 V
　　连续漏极电流 Id（@25°C）：5.5 A
　　导通电阻 Rds(on)：约 36 mΩ（@Vgs = -10 V）
　　功率耗散（Pd）：2.5 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：DFN2020-BD6

特性

LR6155E6-FD 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗，提高系统效率，同时减少发热。该器件在 -10 V 栅极驱动电压下可实现最佳导通性能，适用于常见的逻辑电平控制电路。其 30 V 的漏源耐压能力使其适用于多种中低压功率控制场景。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的热稳定性和过温保护能力，确保在高负载条件下也能稳定运行。其小型 DFN 封装具备良好的散热性能，适用于空间受限的设计，例如智能手机、便携式电子设备和小型电源模块。
　　LR6155E6-FD 的栅极驱动电压范围较宽（±20 V），增强了其在不同控制电路中的适应性，并具有较强的抗干扰能力和可靠性。该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流器和负载开关控制。

应用

LR6155E6-FD 主要应用于电池供电设备中的功率管理，如智能手机、平板电脑、穿戴设备和便携式医疗设备。由于其低导通电阻和高效率，该器件也常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理 IC（PMIC）外围电路以及汽车电子系统中的低功耗控制模块。此外，它还可用于工业自动化设备和嵌入式系统中的电源切换和负载管理。在需要高可靠性和高效率的电路设计中，LR6155E6-FD 是一种理想的选择。