类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：120A
　　导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：134W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LR4803U 具备多项优异的电气和热性能，适用于高效率功率转换系统设计。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高达120A的连续漏极电流，适合大电流应用，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流和电机控制电路。此外，LR4803U采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，具有良好的热稳定性和较高的电流密度，有助于减少PCB空间占用。其封装形式为TO-252（DPAK），便于焊接和散热管理，适用于表面贴装工艺。该器件的栅极驱动电压范围为4.5V至20V，兼容多种常见的MOSFET驱动器和控制器。同时，其具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在开关过程中应对电压尖峰的能力，提升了系统可靠性。LR4803U 还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　为了确保器件在各种工作条件下稳定运行，LR4803U内部结构优化了热阻设计，使得在高负载情况下仍能保持较低的结温。此外，其封装设计具备良好的散热性能，有利于延长器件寿命并提高整体系统稳定性。该MOSFET在设计时充分考虑了EMI（电磁干扰）控制，有助于降低高频开关带来的干扰问题，从而提升整体系统的兼容性和稳定性。

LR4803U 广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器（如Buck、Boost和Buck-Boost拓扑）、同步整流模块、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源分配系统、工业自动化设备、LED照明驱动电源以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动车电源模块）等。由于其高电流能力和低导通电阻，LR4803U 特别适合用于需要高效能和高可靠性的中高功率应用场景。

SiR182DP-T1-GE3, AO4803, FDS6680, IRF18N30DH