类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在 Vgs=10V 时）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.7mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LR38372 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在低电压应用中提供非常低的导通电阻，从而降低功率损耗并提高系统效率。其低 Rds(on) 特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低的温升，提高了器件的可靠性和寿命。
　　该器件支持高达 120A 的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动，兼容多种控制器和驱动电路。此外，LR38372 具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的性能表现。
　　TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热能力，还便于在 PCB 上安装和焊接，适用于表面贴装工艺。该封装有助于提高器件在高功率应用中的散热效率，从而降低系统温度并提升整体可靠性。
　　由于其高性能和高可靠性的特点，LR38372 广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制、电池保护电路等场景。

LR38372 主要应用于以下领域：
　　1. **电源管理**：用于同步整流、负载开关、稳压器和 DC-DC 转换器，提高电源转换效率。
　　2. **马达控制**：适用于直流马达、步进马达等驱动电路，提供高电流输出能力。
　　3. **电池管理系统**：用于电池充放电管理、保护电路中的高电流开关。
　　4. **工业控制**：广泛应用于工业自动化设备、电源模块、智能电表等。
　　5. **消费类电子产品**：如高功率 USB 充电器、移动电源、LED 照明驱动等。

SiSS340N, NexFET CSD17579Q5B, IRF1324S-7PPBF