类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：25A
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大32mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大44mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：48W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN5x6
　　引脚数：8
　　栅极电荷（Qg）：22nC @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：960pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：35ns

LR25D80SDG具有多项高性能特性，适合高效率功率转换应用。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)最大为32mΩ，而在较低驱动电压（4.5V）下仍能保持44mΩ的导通电阻，这使其适用于多种驱动电路设计。
　　其次，该MOSFET具备高电流承载能力，连续漏极电流可达25A，适合大功率负载应用。同时，其DFN5x6封装提供了良好的热管理能力，使器件在高功率工作条件下仍能保持稳定性能。
　　此外，LR25D80SDG具有快速开关特性，栅极电荷（Qg）为22nC，输入电容（Ciss）为960pF，确保了快速的开关响应时间，减少了开关损耗。其反向恢复时间（trr）为35ns，适合高频开关应用。
　　该器件还内置栅极保护二极管，提高了抗静电能力和可靠性，适用于工业和汽车电子等严苛环境。

LR25D80SDG广泛应用于多种功率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和汽车电子模块。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关器件，用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提供高效率的能量转换。
　　在负载开关电路中，LR25D80SDG用于控制高电流负载的通断，例如LED照明、风扇控制或电源管理模块。
　　在电机驱动器中，它适用于H桥结构中的高边或低边开关，提供快速响应和高效能。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统，用于控制电池充放电路径，确保电池组的安全运行。
　　由于其优异的热性能和紧凑的封装，LR25D80SDG特别适合空间受限且要求高功率密度的设计。

SiHH25N80CD、FDD2580、IRFR4229、FDMS8878、FDS4410、NVTFS5C428N、FDMS8876、FDMS8870