类型：NPN
　　封装：SOT-23 (SC-59)
　　集电极-发射极击穿电压 (VCEO)：50V
　　集电极-基极电压 (VCB)：50V
　　发射极-基极电压 (VEBO)：5V
　　最大集电极电流 (IC)：100mA
　　最大集电极功耗 (Pc)：300mW
　　直流电流增益 (hFE)：100 - 400（典型值在IC = 10mA时）
　　过渡频率 (fT)：200MHz
　　工作结温范围 (Tj)：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

LR2125G-AD-AF5-R具备优异的高频响应能力和稳定的直流电流增益特性，使其在高频小信号放大应用中表现出色。其过渡频率高达200MHz，能够有效支持射频前端模块、高频振荡器和高速开关电路的设计需求。该晶体管在低至0.1mA的小集电极电流下仍能保持较高的hFE值，确保在微弱信号条件下也能实现可靠放大。
　　该器件采用先进的平面外延工艺制造，保证了器件的一致性和可靠性。其SOT-23封装具有较小的寄生电容和电感，有助于提升高频性能并减少电磁干扰。此外，该封装具备良好的热传导性能，可在有限空间内有效散热，延长器件寿命。
　　LR2125G-AD-AF5-R具有较低的饱和压降（VCE(sat)），典型值在IC = 10mA、IB = 0.5mA时为0.2V，这使得它在作为开关使用时功耗更低，效率更高。同时，其快速的开关响应时间使其适用于脉冲宽度调制（PWM）控制、数字逻辑接口和高速数据传输电路。
　　该晶体管符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，适合用于绿色环保电子产品。其批量生产一致性高，适用于自动化贴片（SMT）生产线，提高了制造效率并降低了生产成本。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏置试验（HTRB）、高温栅极偏置试验（HTGB）和温度循环测试，确保在恶劣环境下的长期稳定性。

LR2125G-AD-AF5-R广泛应用于各类消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和智能家居控制器等，常用于LED背光驱动、音频前置放大、传感器信号调理和电源通路开关等场景。
　　在通信设备中，该晶体管可用于射频信号放大、天线切换控制和低噪声前置放大器设计，因其高频特性和低噪声表现而受到青睐。
　　在工业控制领域，LR2125G-AD-AF5-R常被用于继电器驱动、光电耦合器接口、逻辑电平转换和微控制器输出级扩展电路中，提供可靠的信号放大与隔离功能。
　　此外，在电源管理系统中，该器件可用于低压差稳压器（LDO）的误差放大器输出级、电池充放电控制电路以及过流保护开关，发挥其低功耗和高响应速度的优势。
　　由于其小型化封装和高性能指标，该晶体管也适用于汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统、车内照明控制和传感器信号处理单元。

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　　 "MMBT3904",
　　 "BC847B",
　　 "2N3904",
　　 "FMMT215",
　　 "ZXTN2150"
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