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LR2010-R033FW 发布时间 时间:2025/7/30 21:44:13 查看 阅读:27

LR2010-R033FW 是一款由LRC(乐山无线电)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和功率控制领域。该器件采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。封装形式为TO-252(DPAK),便于在各种电子设备中使用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):10A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(ON)):33mΩ @ VGS = 10V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

LR2010-R033FW 采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有极低的导通电阻(RDS(ON))和高电流承载能力,能够有效降低导通损耗并提高系统效率。其高开关速度特性使其适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流器和电源管理模块。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,适用于对散热要求较高的应用。TO-252(DPAK)封装形式提供了良好的散热性能,同时便于自动化生产和焊接。栅极驱动电压范围宽(通常为10V),确保可靠的开关控制。

应用

该MOSFET广泛应用于各类电源管理系统中,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路以及各种高效率电源适配器。由于其低导通电阻和高电流能力,也适用于需要高效能和低功耗的工业控制设备、通信电源和消费类电子产品。

替代型号

IRFZ44N, STP10NK60Z, FDPF040N10A

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LR2010-R033FW参数

  • 标准包装1
  • 类别电阻器
  • 家庭芯片电阻 - 表面安装
  • 系列LRC - 汽车
  • 电阻(欧姆)0.033
  • 功率(瓦特)1W
  • 复合体陶瓷
  • 特点电流检测
  • 温度系数-
  • 容差±1%
  • 封装/外壳2010(5125 公制)
  • 尺寸/尺寸0.206" L x 0.104" W(5.23mm x 2.64mm)
  • 高度0.031"(0.80mm)
  • 端子数2
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称985-1201-6