型号：LR13N20D
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：13A
　　脉冲漏极电流（Idm）：52A
　　最大功耗（Pd）：94W
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs=10V）：≤0.22Ω
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs=5V）：≤0.27Ω
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：48nC
　　输入电容（Ciss）：1100pF
　　输出电容（Coss）：190pF
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-263

LR13N20D采用先进的高压TrenchFET工艺技术，这种结构能够有效降低单位面积下的导通电阻，从而显著提升器件的电流承载能力和能量转换效率。其低Rds(on)特性使得在大电流工作条件下产生的导通损耗大幅下降，有利于提高电源系统的整体能效，并减少对散热设计的要求。该器件的高耐压能力（200V）使其适用于多种离线式开关电源拓扑结构，如反激式、正激式和半桥电路，特别适合用于AC-DC适配器、LED驱动电源和光伏逆变器等应用场景。
　　该MOSFET具备良好的动态性能表现，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），在高频开关操作下仍能保持较小的驱动功耗，有助于简化驱动电路设计并提升系统响应速度。同时，输出电容（Coss）也经过优化，减少了关断过程中的能量损耗，进一步提升了高频工作的效率表现。器件还具有较快的反向恢复时间（trr=35ns），其内置的体二极管在感性负载切断时可迅速导通，抑制电压振荡和电磁干扰（EMI），增强了系统运行的稳定性与安全性。
　　LR13N20D拥有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），可在恶劣环境条件下可靠运行，满足工业级应用的严苛要求。其封装形式（TO-220/TO-263）具备优良的热传导性能，配合合适的散热措施可实现长时间满负荷运行。此外，器件通过了多项国际安全与环保认证，符合RoHS指令要求，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。综合来看，LR13N20D是一款集高性能、高可靠性与环保特性于一体的理想功率开关元件。

LR13N20D广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，典型用途包括AC-DC适配器、充电器、LED照明驱动电源以及小型逆变器设备。由于其具备200V的击穿电压和13A的连续电流能力，非常适合用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中的主开关管角色，尤其在100W以下的离线式电源设计中表现出色。在DC-DC转换器领域，该器件可用于升压（Boost）、降压（Buck）或同步整流电路中，作为高效能开关元件来降低能量损耗并提升转换效率。
　　在工业控制方面，LR13N20D常被用于电机驱动电路、继电器驱动模块和电磁阀控制单元中，利用其快速开关能力和低导通压降实现精准的功率控制。此外，在太阳能微型逆变器、不间断电源（UPS）和电池管理系统（BMS）等新能源相关产品中，该MOSFET也能发挥出色的性能，保障系统的稳定运行。消费类电子产品如电视、显示器、音响设备的待机电源模块中也常见其身影，用于实现低待机功耗和高转换效率的设计目标。
　　得益于其优异的热稳定性和抗冲击能力，LR13N20D还可应用于车载电子辅助电源、电动车充电模块以及工业自动化设备中的开关节点。总之，只要涉及200V以内电压等级、需要高效功率切换的场景，LR13N20D都是一种值得信赖的选择。其成熟的工艺和稳定的供货渠道也为大规模量产提供了保障。