型号：LR13N15D
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：150V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：13A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：52A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤120mΩ（@Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤150mΩ（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：680pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：220pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　最大功耗（Pd）：80W（@TC=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LR13N15D采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具有出色的电学性能和热稳定性，能够在高电压和大电流条件下保持高效运行。其最大漏源电压为150V，适用于中高压开关电源系统，如离线式反激变换器、DC-DC转换器和电机驱动电路。该器件的低导通电阻特性显著降低了导通损耗，特别是在高负载条件下能够有效提升系统能效。例如，在Vgs=10V时，Rds(on)不超过120mΩ，这使得在传导大电流时产生的热量更少，从而减少散热设计的复杂度。
　　该MOSFET具备快速开关能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容，使其在高频开关应用中表现优异。输入电容Ciss仅为680pF，输出电容Coss为220pF，这些参数有助于降低驱动电路的功耗，并提高整体转换效率。同时，其反向恢复时间trr为30ns，表明体二极管具有较快的响应速度，可在同步整流或感性负载切换中减少能量损耗和电压尖峰。
　　LR13N15D的阈值电压范围为2.0V至4.0V，支持逻辑电平驱动，兼容3.3V或5V的控制信号，适用于由MCU或PWM控制器直接驱动的应用场景。此外，该器件的最大连续漏极电流可达13A（在壳温25℃条件下），具备较强的电流承载能力，适合用于中等功率级别的开关模式电源设计。
　　从可靠性角度看，LR13N15D的工作结温范围为-55℃至+150℃，能够在严苛的环境温度下稳定运行，适用于工业级应用需求。其TO-252封装不仅提供了良好的散热路径，还支持自动化贴片生产，提高了制造效率。综合来看，LR13N15D在性能、成本与可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率电源系统中的优选功率开关器件。

LR13N15D广泛应用于各类中低功率电力电子系统中，尤其适合需要高效能和高可靠性的电源转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、充电器和机顶盒电源单元，其150V耐压能力可满足通用输入电压范围（85V~265V AC）下的安全裕量需求。在DC-DC转换器中，该器件可用作主开关管或同步整流管，凭借其低Rds(on)和快速开关特性，显著提升转换效率并降低温升。
　　在LED照明驱动电源中，LR13N15D常用于隔离式反激拓扑结构的初级侧开关，实现稳定的恒流输出，适用于家用及商业LED灯具。此外，在电机控制电路中，该MOSFET可用于直流电机或步进电机的H桥驱动模块，提供高效的正反转控制与能耗制动功能。
　　工业自动化设备中的电源模块也大量采用此类器件，如PLC电源、传感器供电单元等，因其具备较强的抗干扰能力和长期运行稳定性。同时，LR13N15D还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能微型逆变器等新能源相关产品中，承担能量转换与通断控制任务。
　　由于其TO-252封装具有良好的散热性能和机械强度，特别适合需要焊接在PCB上并承受一定热应力的应用环境。此外，该器件的环保设计符合现代电子产品对无铅、无卤素的要求，适用于出口型电子产品的设计与认证。总体而言，LR13N15D凭借其优异的电气特性和广泛的适用性，已成为众多中功率电源设计中的核心元件之一。

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　　 "IRF13N15D",
　　 "STP13N15D",
　　 "FQP13N15",
　　 "SIHF13N15",
　　 "AP13N15F"
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