型号：LR12FTDB5M50G
　　类型：快恢复整流二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：50V
　　最大平均整流电流（IO）：1.2A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向压降（VF）：0.875V @ 1.2A
　　最大反向漏电流（IR）：0.5μA @ 50V
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-277D
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数量：3

LR12FTDB5M50G的核心特性之一是其优异的快恢复性能，反向恢复时间（trr）典型值仅为35ns，这使其非常适合高频开关电源应用。在高频工作条件下，传统整流二极管由于较长的反向恢复时间会产生较大的反向恢复电流，导致显著的开关损耗和电磁干扰（EMI）。而LR12FTDB5M50G通过优化PN结结构和载流子寿命控制技术，大幅缩短了反向恢复过程，有效降低了开关过程中的能量损耗，提升了电源系统的整体效率。该特性对于提高DC-DC转换器、LED驱动电源以及便携式充电器等设备的能效至关重要。
　　另一个关键特性是其低正向导通压降（VF），在1.2A电流下最大为0.875V。较低的VF意味着在导通状态下器件本身的功耗更小，减少了发热，提高了系统的热稳定性。这对于高密度集成的电源模块尤为重要，有助于延长产品寿命并提升可靠性。同时，该器件具备高达50V的反向耐压能力，足以满足大多数低压直流输入电源系统的需求，如12V、24V工业电源或USB PD快充副边整流场景。
　　LR12FTDB5M50G采用TO-277D封装，该封装具有三个引脚，其中两个阴极共接，一个阳极，有利于降低寄生电感和改善热分布。其表面贴装设计便于自动化贴片生产，适应现代SMT工艺流程，提升了生产效率和良率。此外，该封装具备良好的散热性能，配合PCB上的大面积铜箔可实现有效的热管理，确保器件在持续负载下仍能保持安全的工作温度。综合来看，LR12FTDB5M50G凭借其快速恢复、低功耗、高可靠性和小型化封装，在消费电子、通信设备、工业控制等领域展现出广泛的适用性。

LR12FTDB5M50G广泛应用于各类需要高效整流功能的电子设备中。在开关电源（SMPS）领域，它常被用作次级侧整流二极管，特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，负责将高频交流电压转换为稳定的直流输出。由于其35ns的快速恢复时间和低正向压降，该器件能显著减少整流阶段的能量损失，提升电源转换效率，尤其适用于10W至65W范围内的适配器和充电器设计。
　　在DC-DC转换器中，LR12FTDB5M50G可用于同步整流以外的非同步整流方案，作为续流二极管使用。当主开关管关断时，该二极管提供电感电流的续流通路，防止电压尖峰损坏其他元件。其快速响应能力确保了电流切换的平滑过渡，降低了电磁噪声，提高了系统稳定性。此类应用常见于笔记本电脑主板、路由器电源模块及LED照明驱动电路中。
　　此外，该器件也适用于电池充电管理系统、USB Type-C PD快充模块、机顶盒电源单元以及小型家电控制板等对空间和效率有较高要求的场合。其表面贴装封装形式支持高密度PCB布局，满足现代电子产品小型化趋势。在工业应用方面，LR12FTDB5M50G可用于PLC控制器、传感器供电模块和隔离电源接口中，提供可靠的整流功能。由于其宽温工作范围（-55°C至+150°C），即使在高温工业环境中也能保持良好性能，增强了系统的环境适应能力。总之，这款二极管是一款通用性强、性价比高的整流解决方案，适用于多种中低功率电源系统。

MBR120U50TG
　　SR120HE3_A/H
　　B120AW
　　VB120A-W